[发明专利]降低衬偏效应的多晶电阻匹配方法及电路有效
| 申请号： | 202110928653.6 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN113675188B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 张明;焦炜杰;杨金权 | 申请（专利权）人： | 江苏润石科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/08 |
| 代理公司： | 无锡永乐唯勤专利代理事务所(普通合伙) 32369 | 代理人： | 章陆一 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新吴区弘毅路*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种多晶电阻匹配方法及电路，尤其是一种降低衬偏效应的多晶电阻匹配方法及电路。对于待匹配的第一电阻单元与第二电阻单元，将第一电阻单元划分A个依次连接的第一电阻分段单元，n个依次串接的电阻体均匀分布于所述A个第一电阻分段单元内，每个第一电阻分段单元内所有的电阻体均位于所在第一电阻分段单元内的同一第一电阻分段衬底上；将A个第一电阻分段单元内第一电阻分段衬底的电位设置为所在第一电阻分段单元相对应的中间电位或所在第一电阻分段单元相对应的最大电位，将第二电阻单元采用与第一电阻单元相同的设置方式，从而能有效降低衬偏效应，提高多晶电阻匹配的精度，适应范围广，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 效应 多晶 电阻 匹配 方法 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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