[发明专利]降低衬偏效应的多晶电阻匹配方法及电路

权利要求书

1.一种降低衬偏效应的多晶电阻匹配方法，其特征是：包括第一电阻单元以及待与所述第一电阻单元匹配的第二电阻单元，第一电阻单元内包括n个依次串接的电阻体，第二电阻单元均包括m个依次串接的电阻体，其中，n≥1，m≥1，第一电阻单元内的电阻体、第二电阻单元内的电阻体均为多晶电阻；

在匹配时，第一电阻单元所承受的最大电压为V1，第二电阻单元所承受的最大电压为V2，且第一电阻单元以及第二电阻单元所能接受的衬偏电压为V3，其中，V1：V2＝n：m；

对于第一电阻单元，根据所承受的最大电压V1以及所能接受的衬偏电压V3，第一电阻单元包括A个依次连接的第一电阻分段单元，n个依次串接的电阻体均匀分布于所述A个第一电阻分段单元内，每个第一电阻分段单元内所有的电阻体均位于所在第一电阻分段单元内的同一第一电阻分段衬底上；沿n个电阻体串接的串接方向上，将A个第一电阻分段单元内第一电阻分段衬底的电位设置为所在第一电阻分段单元相对应的中间电位或所在第一电阻分段单元相对应的最大电位；

对于第二电阻单元，根据所承受的最大电压V2以及所能接受的衬偏电压V3，第二电阻单元包括B个依次连接的第二电阻分段单元，m个依次串接的电阻体均匀分布于所述B个第二电阻分段单元内，每个第二电阻分段单元内所有的电阻体均位于所在第二电阻分段单元内的同一第二电阻分段衬底上；沿m个电阻体串接的串接方向上，将B个第二电阻分段单元内第二电阻分段衬底的电位设置方式，与将A个第一电阻分段单元内第一电阻分段衬底的电位设置方式相一致。

2.根据权利要求1所述的降低衬偏效应的多晶电阻匹配方法，其特征是：对于第一电阻单元，当所承受的最大电压V1以及所能接受的衬偏电压V3时，将A个第一电阻分段单元内第一电阻分段衬底的电位设置为所在第一电阻分段单元相对应的中间电位时，则有

当将A个第一电阻分段单元内第一电阻分段衬底的电位设置为所在第一电阻分段单元相对应的最大电位时，则有

其中，N为正整数，为取整运算。

3.根据权利要求1或2所述的降低衬偏效应的多晶电阻匹配方法，其特征是：对于第二电阻单元，当所承受的最大电压V2以及所能接受的衬偏电压V3时，将B个第二电阻分段单元内第二电阻分段衬底的电位设置为所在第二电阻分段单元相对应的中间电位时，则有

当将B个第二电阻分段单元内第二电阻分段衬底的电位设置为所在第二电阻分段单元相对应的最大电位时，则有

其中，N为正整数，为取整运算。

4.根据权利要求1或2所述的降低衬偏效应的多晶电阻匹配方法，其特征是：在任一第一电阻分段单元内，n/A个电阻体依次均匀排布于第一电阻分段衬底上，电阻体通过第一电阻分段衬底内的电阻体隔离区与所述第一电阻分段衬底隔离；

在任一电阻体的一端设置电阻体第一连接电极，在所述电阻体的另一端设置电阻体第二连接电极；电阻体间依次串接时，一电阻体的电阻体第一连接电极与另一电阻体的电阻体第二连接电极电连接。

5.根据权利要求1或2所述的降低衬偏效应的多晶电阻匹配方法，其特征是：还包括与第一电阻单元适配的第一电阻单元电压传输电路；对第一电阻单元，根据所承受的最大电压V1以及所能接受的衬偏电压V3，通过第一电阻单元电压传输电路将A个第一电阻分段单元内第一电阻分段衬底的电位设置为所在第一电阻分段单元相对应的中间电位或所在第一电阻分段单元相对应的最大电位。

6.根据权利要求5所述的降低衬偏效应的多晶电阻匹配方法，其特征是：所述的第一电阻单元电压传输电路包括电压跟随器。

7.根据权利要求4所述的降低衬偏效应的多晶电阻匹配方法，其特征是：所述电阻体隔离区包括场氧隔离区或STI隔离区。