[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110926931.4 | 申请日： | 2021-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN113658909B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 郗宁 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孙静;黄健 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的寄生电容值较高的技术问题。半导体结构包括位线以及位于位线至少一侧的空气隙，空气隙的侧壁的材质包括含硅化合物，对空气隙的侧壁渗碳处理，空气隙的内侧面形成含碳层；对含碳层靠近空气隙的开口的区域进行氧化处理，生成的氧化物封堵空气隙的开口。利用生成的氧化物封堵空气隙，在空气隙的侧壁生长氧化物而实现对空气隙的自封口，减少了氧化物掉落到空气隙内的概率，从而保证空气隙对寄生电容值的降低效果，以降低半导体结构的寄生电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
