[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构包括位线，以及位于所述位线至少一侧的空气隙，所述空气隙的侧壁的材质包括含硅化合物，所述半导体结构的制作方法包括：

对所述空气隙的侧壁渗碳处理，所述空气隙的内侧面形成含碳层；

对所述含碳层靠近所述空气隙的开口的区域进行氧化处理，生成的氧化物封堵在所述空气隙的开口。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述渗碳处理时的第一温度为70℃-200℃，第一压力为10mTorr-500mTorr，第一射频功率为1000W-10000W，第一偏压为50W-500W。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，对所述空气隙的侧壁渗碳处理时，利用第一等离子体与所述空气隙的侧壁进行反应，所述第一等离子体包括甲烷、乙烯或者乙炔中的一种或者多种。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一等离子体为甲烷，所述甲烷的流量为10sccm-500sccm。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述空气隙的侧壁的材质为氮化硅，所述含碳层的材质为氮碳化硅。

6.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一等离子体以氮气或者氩气为载体，所述氮气或者氩气的流量为10sccm-500sccm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述氧化处理时的第二温度为10℃-80℃，第二压力为1000mTorr-20000mTorr，第二射频功率为1000W-10000W，第二偏压为0W-50W。

8.根据权利要求1-6任一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，对所述含碳层靠近所述空气隙的开口的区域进行氧化处理时，利用第二等离子体与所述含碳层靠近所述空气隙的开口的区域进行反应；

所述第二等离子体包括氧化气体和辅助气体，所述氧化气体包括一氧化碳或者二氧化碳中的一种或者多种，所述辅助气体包括硅烷或者乙硅烷中的一种或者多种。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述氧化气体的流量为500sccm-5000sccm；

所述辅助气体为硅烷，所述硅烷的流量为500sccm-5000sccm。

10.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二等离子体以氮气或者氩气为载体，所述氮气或者氩气的流量为10sccm-500sccm。

11.根据权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述含碳层的材质为氮碳化硅，所述氧化物的材质包括氧化硅、碳氧化硅或者碳氮氧化硅中的一种或者多种。

12.根据权利要求1-6任一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述空气隙的宽度小于或者等于5nm，且大于等于或者等于1nm，所述含碳层的厚度小于1.5nm。

13.根据权利要求1-6任一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，对所述空气隙的侧壁渗碳处理，所述空气隙的内侧面形成含碳层的步骤之前，还包括：

在衬底上形成多条间隔设置的位线，以及覆盖所述位线的第一绝缘层，位于相邻的所述位线之间的所述第一绝缘层围合成容纳槽；

在所述容纳槽的侧壁上形成牺牲层，以及覆盖所述牺牲层的第二绝缘层；

去除位于所述牺牲层背离所述衬底的表面的所述第二绝缘层，以暴露所述牺牲层；

去除所述牺牲层，以形成所述空气隙，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层形成所述空气隙的侧壁。