[发明专利]一种强锁存结构的D触发器电路有效
| 申请号： | 202110921437.9 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113472323B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 卢文娟;孙雨佳;朱志国;吕盼稂;彭春雨;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁 | 申请（专利权）人： | 安徽大学;合肥海图微电子有限公司;合肥市微电子研究院有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/3562 | 分类号： | H03K3/3562;H03K3/012 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;陈亮 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种强锁存结构的D触发器电路，包括依次连接的四个逻辑输入反相器、强锁存电路、两个传输门，强锁存电路包括两个NMOS晶体管，四个PMOS晶体管，左侧部分的晶体管依次串联，右侧部分的晶体管同样依次串联，两侧部分构成强锁存结构；PMOS晶体管PM6栅极与Q节点相连，PMOS晶体管PM8栅极与Q非节点相连，相互构成负反馈回路；强锁存电路接收四个逻辑输入反相器给进来的方波信号，并保存在Q和Q非节点，每次转换能减少左侧或右侧部分的电流从VDD流入GND，从而大大减少动态泄漏。上述电路解决了传统锁存器泄露功耗和信号翻转的过程中短路功耗大的问题，降低了整个芯片设计的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 强锁存 结构 触发器 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽大学;合肥海图微电子有限公司;合肥市微电子研究院有限公司，未经安徽大学;合肥海图微电子有限公司;合肥市微电子研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110921437.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
