[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110916242.5 申请日: 2021-08-10
公开(公告)号: CN114078802A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 冈部敏幸 申请(专利权)人: 新光电气工业株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/48;H01L21/60
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 向勇;宋晓宝
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种半导体装置及其制造方法,其能够抑制短路。该半导体装置包括:引线框,其包括第一主面以及与上述第一主面相反一侧的第二主面,并且在上述第一主面包括凹部;中继基板,其包括第三主面以及与上述第三主面相反一侧的第四主面,该中继基板以使上述第四主面与上述凹部的底面相对的方式配置于上述凹部内;第一半导体芯片,其设于上述第三主面之上;第一导电材料,其将上述引线框和上述中继基板连接;以及第二导电材料,其将上述中继基板和上述第一半导体芯片连接,上述第二主面和上述第三主面之间的第二距离为上述第二主面和上述第一主面之间的第一距离以下。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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