[发明专利]低压器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110899264.5 | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN113345834A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 许飞;杨宗凯;曾伟翔;陈信全 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种低压器件及其制作方法。所述低压器件的制作方法中，首先提供形成有多个隔离结构的半导体基底，隔离结构之间的半导体基底表面覆盖有垫氧化层，然后执行离子注入工艺，在半导体基底中形成多个阱区，多个阱区之间通过多个隔离结构分隔，且隔离结构的下表面低于阱区的下表面，接着去除垫氧化层，并在露出的半导体基底表面形成栅极氧化层，栅极氧化层的厚度在10nm以下。由于多个阱区之间通过多个隔离结构分隔，且隔离结构的下表面低于阱区的下表面，如此可以提高阱区之间的隔离效果，有助于改善低压器件的漏电问题，提高低压器件的可靠性。所述低压器件采用上述低压器件的制作方法制作。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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