[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110896834.5 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN114334856A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 鸭田凉;高桥秀树 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/31;H01L25/18;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能实现电磁波的屏蔽与散热性的提高的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包含衬底、半导体存储器、控制器、第1导热板、石墨片、封装部及外部电极。衬底具有第1面、及位于第1面的相反侧的第2面。半导体存储器设置在第1面。控制器设置在第1面，能控制半导体存储器。第1导热板配置在控制器之上。石墨片配置在第1导热板之上。封装部将半导体存储器、控制器、第1导热板及石墨片封装。外部电极有多个，设置在衬底的第2面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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