[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110896834.5 申请日: 2021-08-05
公开(公告)号: CN114334856A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 鸭田凉;高桥秀树 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/31;H01L25/18;H01L21/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于包含:

衬底,具有第1面、及位于所述第1面的相反侧的第2面;

半导体存储器,设置在所述第1面;

控制器,设置在所述第1面,能控制所述半导体存储器;

第1导热板,配置在所述控制器之上;

石墨片,配置在所述第1导热板之上;

第1封装部,将所述半导体存储器、所述控制器、所述第1导热板及所述石墨片封装;以及

多个外部电极,设置在所述第2面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述石墨片是以覆盖所述半导体存储器、所述控制器及所述第1导热板的方式配置。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:

在与所述第1面对向的所述石墨片的面还具备绝缘片。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于还包含:

第1键合线,与所述控制器的上表面连接;及

绝缘膜,包含所述第1键合线的一部分,配置在所述控制器的上表面;且

所述第1导热板配置在所述绝缘膜与所述绝缘片之间。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于包含:

第2导热板,配置在所述石墨片的上表面;及

第2封装部,将所述石墨片与所述第2导热板封装。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:

所述石墨片与所述绝缘片的面积大致相等。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:

所述石墨片小于所述第1封装部。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:

所述石墨片小于所述衬底。

9.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于:

所述第2导热板大于所述第1导热板。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:

所述石墨片具有与所述衬底垂直的方向相比,在与所述衬底平行的方向上热导率高的配向。

11.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:

所述石墨片具有与所述衬底平行的方向相比,在与所述衬底垂直的方向上热导率高的配向。

12.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:

所述半导体存储器有多个,且

多个所述半导体存储器是在多个所述半导体存储器与所述控制器的排列方向上错开而积层。

13.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:

还包含温度传感器,且

所述温度传感器安装在所述第1面的与所述半导体存储器相邻的区域。

14.一种半导体装置,其特征在于包含:

衬底,具有第1面、及位于所述第1面的相反侧的第2面;

半导体存储器,设置在所述第1面;

控制器,设置在所述第1面,能控制所述半导体存储器;

导热板;

封装部,将所述半导体存储器、所述控制器及所述导热板封装;以及

多个外部电极,设置在所述第2面。

15.根据权利要求14所述的半导体装置,其特征在于还包含:

第1键合线,与所述控制器的上表面连接;及

绝缘膜,包含所述第1键合线的一部分,配置在所述控制器的上表面;且

所述导热板隔着所述绝缘膜配置在所述控制器的上表面。

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