[发明专利]一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法有效
| 申请号： | 202110883669.X | 申请日： | 2021-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN113322512B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 魏建宇;邓雪华;王银海;杨帆 | 申请（专利权）人： | 南京国盛电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/14;C30B25/16;C30B29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 211100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法，包括如下步骤：预备衬底片：选用重掺As衬底片，电阻率为0.002~0.004Ω•cm，外延生长：源采用超高纯三氯氢硅，生长目标厚度的外延层，同时通入相应的掺杂源。掺杂源通入量分两段：第一段采用变掺杂的模式，起始掺杂流量设定值为0.1Ω·cm≤对应电阻率≤0.5Ω·cm的重掺杂质量，终点掺杂流量设定值为外延层目标电阻率对应的掺杂量，掺杂量变化速率恒定，变化区间可选择为总厚度的15%~30%；第二段掺杂通入量恒定，掺杂量设定值为外延层目标电阻率对应的掺杂量。采用本发明提供的工艺方法，片内中心、边缘的偏差明显缩小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 外延 过渡 一致性 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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