[发明专利]一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法有效
| 申请号： | 202110883669.X | 申请日： | 2021-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN113322512B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 魏建宇;邓雪华;王银海;杨帆 | 申请（专利权）人： | 南京国盛电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/14;C30B25/16;C30B29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 211100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 外延 过渡 一致性 工艺 方法 | ||
1.一种提高外延片过渡区一致性的工艺方法，其特征在于， 包括如下步骤：
A、预备衬底片；选用重掺As衬底片，该重掺As衬底片电阻率为0.003~0.004Ω•cm；
B、外延生长：硅源采用超高纯三氯氢硅，生长目标厚度的外延层，同时通入相应的掺杂源；掺杂源通入量分两段：
第一段：采用变掺杂的模式，起始掺杂流量设定值为0.3Ω·cm≤对应电阻率≤0.5Ω·cm的重掺杂质量，终点掺杂流量设定值为外延层目标电阻率对应的掺杂量，掺杂量变化速率恒定，变化区间可选择为总厚度的25%~30%；
第二段：掺杂通入量恒定，掺杂量设定值为外延层目标电阻率对应的掺杂量；外延生长过程中生长温度为1050~1060℃，生长速率为2.5~2.8µm/min。
2.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：在进行外延前清除外延设备中石英反应器内壁和石英零件上淀积残留物。
3.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：重掺As衬底片的背封结构为LTO背封、POLY+LTO背封或LTO+POLY背封。
4. 根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于：步骤B第一段中，变化速率=（起始掺杂量设定值 - 终点掺杂量设定值）/（变化区间的厚度/生长速率）。
5.根据权利要求2所述的工艺方法，其特征在于：在生长外延前，通HCl气体对基座表面残余的硅、杂质进行处理。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的工艺方法，其特征在于：步骤A选用电阻率为0.003Ω•cm的预备衬底片；步骤B第一段采用变掺杂的模式选取变化区间选择为总厚度的25%，对应电阻率0.3Ω·cm；步骤B第二段中，外延生长过程中生长温度为1050℃，生长速率为2.5µm/min。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的工艺方法，其特征在于：步骤A选用电阻率为0.004Ω•cm的预备衬底片；步骤B第一段采用变掺杂的模式选取变化区间选择为总厚度的30%，对应电阻率0.5Ω·cm；步骤B第二段中，外延生长过程中生长温度为1060℃，生长速率为2.8µm/min。
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