[发明专利]薄膜的检测方法在审
| 申请号： | 202110870592.2 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113594056A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 顾硕峰;孙洪福;项贤晓 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜的检测方法，通过对外围区域的待测薄膜进行光学检测，可得到所述外围区域的待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率；并通过比较所述外围区域的待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率之间的差值，可判断所述待测薄膜的位置是否发生偏移。因此，本发明通过检测待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率，可实现检测所述待测薄膜的位置是否发生偏移，且检测精度更高，便于实时的对所述待测薄膜进行检测，从而可实时辨识薄膜的异常情况，提升产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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