[发明专利]薄膜的检测方法

说明书

本发明提供一种薄膜的检测方法，通过对外围区域的待测薄膜进行光学检测，可得到所述外围区域的待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率；并通过比较所述外围区域的待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率之间的差值，可判断所述待测薄膜的位置是否发生偏移。因此，本发明通过检测待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率，可实现检测所述待测薄膜的位置是否发生偏移，且检测精度更高，便于实时的对所述待测薄膜进行检测，从而可实时辨识薄膜的异常情况，提升产品的良率。

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，特别涉及一种薄膜的检测方法。

背景技术

在半导体工艺中，通常会在衬底表面沉积薄膜，以通过沉积的薄膜制备功能层，例如，通过在衬底上沉积金属互连线实现器件之间的连接，以及实现电信号的传递。随着半导体器件的高度集成化及高性能化的进展，对薄膜的规范性也提出了越来越高的要求，例如，薄膜的类型、尺寸准确度以及所述薄膜与衬底之间的对准精度等。如果薄膜与衬底之间的对准精度较低，容易导致后续工艺的缺陷。例如导致薄膜的剥离缺陷(metal pillarpeeling defect)，进而发生层间短路(bridge)的问题，降低产品的良率。

为了避免因薄膜发生偏移而造成的异常，通常会检测形成于衬底上的薄膜的位置相对薄膜的预设位置是否发生偏移(即检测薄膜与衬底之间的对准精度)。现有技术中，通常采用光谱分析仪(XRF)测量薄膜的厚度，通过测量薄膜的厚度判断薄膜的位置是否发生偏移，但由于该方法的测量精度有限，如果薄膜的位置偏移较小(参考图1，衬底10上形成于位置偏移的薄膜11，薄膜11的位置偏移较小)，通过测量薄膜的厚度无法体现出薄膜是否发生偏移。即通过该方法无法准确的检测到薄膜的位置是否发生偏移，并且该方法的反馈周期较长，因此，需要一种新的薄膜的检测方法，以检测薄膜的位置是否发生偏移。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜的检测方法，以实时、准确的检测薄膜的位置是否偏移，提升产品的良率。

为实现上述目的，本发明提供一种薄膜的检测方法，包括：

提供一衬底，所述衬底具有中心区域和外围区域，所述外围区域包围所述中心区域，且所述衬底上形成有一待测薄膜；

对所述外围区域的所述待测薄膜进行光学检测，以得到所述外围区域的所述待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率；

比较所述最大的光反射率和所述最小的光反射率之间的差值，并根据比较结果判断所述待测薄膜的位置是否发生偏移。

可选的，在所述的检测方法中，对所述外围区域的所述待测薄膜进行光学检测的方法包括：

在所述外围区域的所述待测薄膜上预设多个检测点；

对预设的所述多个检测点进行光学检测，以得到所述多个检测点的光反射率；

比较所述多个检测点的光反射率的大小，以得到所述多个检测点的光反射率中的最大的光反射率和最小的光反射率。

可选的，在所述的检测方法中，所述多个检测点对称分布于一检测线上，所述检测线设置于所述外围区域并包围所述中心区域。

可选的，在所述的检测方法中，在对预设的所述多个检测点进行光学检测时，将检测光束以预定的入射角依次入射到所述多个检测点，并接收由所述多个检测点反射的所述检测光束，以根据所述检测光束得到所述多个检测点的光反射率。

可选的，在所述的检测方法中，所述检测光束的波长为400nm～700nm。

可选的，在所述的检测方法中，所述检测光束的入射角为10°～90°。

可选的，在所述的检测方法中，在对所述外围区域的所述待测薄膜进行光学检测之后，所述待测薄膜的检测方法还包括：