[发明专利]薄膜的检测方法在审
| 申请号: | 202110870592.2 | 申请日: | 2021-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN113594056A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
| 发明(设计)人: | 顾硕峰;孙洪福;项贤晓 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
| 地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 检测 方法 | ||
1.一种薄膜的检测方法,其特征在于,包括:
提供一衬底,所述衬底具有中心区域和外围区域,所述外围区域包围所述中心区域,且所述衬底上形成有一待测薄膜;
对所述外围区域的所述待测薄膜进行光学检测,以得到所述外围区域的所述待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率;
获取所述最大的光反射率和所述最小的光反射率之间的差值,并根据所述差值判断所述待测薄膜的位置是否发生偏移。
2.如权利要求1所述的薄膜的检测方法,其特征在于,对所述外围区域的所述待测薄膜进行光学检测的方法包括:
在所述外围区域的所述待测薄膜上预设多个检测点;
对预设的所述多个检测点进行光学检测,以得到所述多个检测点的光反射率;
比较所述多个检测点的光反射率的大小,以得到所述多个检测点的光反射率中的最大的光反射率和最小的光反射率。
3.如权利要求2所述的薄膜的检测方法,其特征在于,所述多个检测点对称分布于一检测线上,所述检测线设置于所述外围区域并包围所述中心区域。
4.如权利要求3所述的薄膜的检测方法,其特征在于,在对预设的所述多个检测点进行光学检测时,将检测光束以预定的入射角依次入射到所述多个检测点,并接收由所述多个检测点反射的所述检测光束,以根据所述检测光束得到所述多个检测点的光反射率。
5.如权利要求4所述的薄膜的检测方法,其特征在于,所述检测光束的波长为400nm~700nm。
6.如权利要求4所述的薄膜的检测方法,其特征在于,所述检测光束的入射角为10°~90°。
7.如权利要求2所述的薄膜的检测方法,其特征在于,在对所述外围区域的所述待测薄膜进行光学检测之后,所述待测薄膜的检测方法还包括:
判断所述待测薄膜的尺寸是否合格,其中,判断所述待测薄膜的尺寸是否合格的方法包括:计算所述多个检测点的光反射率的平均值,以得到所述外围区域的所待测薄膜的平均光反射率,并根据所述平均光反射率判断所述待测薄膜的尺寸是否合格。
8.如权利要求7所述的薄膜的检测方法,其特征在于,判断所述待测薄膜的尺寸是否合格的方法包括:将所述平均光反射率的值与第一预设阈值进行比较,若所述平均光反射率的值在所述第一预设阈值内,则判断为所述待测薄膜的尺寸合格;若所述平均光反射率的值不在所述第一预设阈值内,则判断为所述待测薄膜的尺寸较所述待测薄膜的预设尺寸偏大或者偏小。
9.如权利要求1所述的薄膜的检测方法,其特征在于,判断所述待测薄膜的位置是否发生偏移的方法包括:
将所述外围区域的待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率之间的差值与第二预设阈值进行比较,若所述差值不在所述第二预设阈值内,则判断为所述待测薄膜相对所述待测薄膜的预设位置发生偏移。
10.如权利要求1~9中任一项所述的薄膜的检测方法,其特征在于,所述待测薄膜的材质为金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





