[发明专利]微型发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110870153.1 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113707780A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;王江波;吴志浩 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法。该微型发光二极管芯片包括：第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、透明导电层、钝化层、第一电极和第二电极；第二半导体层、多量子阱层、第一半导体层和钝化层依次层叠于透明导电层上，钝化层具有通孔，通孔露出第一半导体层，且与第一半导体层的中部相对，第一电极位于通孔内；第二电极位于透明导电层远离第二半导体层的表面，第二电极包括多个第一电极块，多个第一电极块沿透明导电层的边缘间隔排布。本公开能缩减微型发光二极管芯片的尺寸，且保证微型发光二极管芯片的出光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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