[发明专利]微型发光二极管芯片及其制备方法

说明书

本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法。该微型发光二极管芯片包括：第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、透明导电层、钝化层、第一电极和第二电极；第二半导体层、多量子阱层、第一半导体层和钝化层依次层叠于透明导电层上，钝化层具有通孔，通孔露出第一半导体层，且与第一半导体层的中部相对，第一电极位于通孔内；第二电极位于透明导电层远离第二半导体层的表面，第二电极包括多个第一电极块，多个第一电极块沿透明导电层的边缘间隔排布。本公开能缩减微型发光二极管芯片的尺寸，且保证微型发光二极管芯片的出光效果。

技术领域

本公开涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种微型发光二极管芯片及其制备方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)是指边长在10μm至100μm的超小发光二极管，微型发光二极管的体积小，可以更密集的设置排列而大幅度提高分辨率，并且具有自发光特性，具有高亮度、高对比度、高反应性及省电的特点。

相关技术中，微型发光二极管芯片通常包括外延结构、第一电极和第二电极，外延结构包括依次层叠的第二半导体层、多量子阱层和第一半导体层。其中，第一电极和第二电极均设置外延结构的同一侧。

由于第一电极和第二电极设置在外延结构的同一侧，因此外延结构的侧面需要容纳第一电极、第二电极，并且确保两个电极之间具有一定的间隔，这样就会导致微型发光二极管芯片的尺寸较大，且尺寸难以进一步缩小；而将第一电极和第二电极分别设置外延结构的异侧，则位于出光侧的电极会遮挡光线，又会影响微型发光二极管芯片的出光效果。

发明内容

本公开实施例提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法，能缩减微型发光二极管芯片的尺寸，且保证微型发光二极管芯片的出光效果。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种微型发光二极管芯片，所述微型发光二极管芯片包括：第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、透明导电层、钝化层、第一电极和第二电极；所述第二半导体层、所述多量子阱层、所述第一半导体层和所述钝化层依次层叠于所述透明导电层上，所述钝化层具有通孔，所述通孔露出所述第一半导体层，且与所述第一半导体层的中部相对，所述第一电极位于所述通孔内；所述第二电极位于所述透明导电层远离所述第二半导体层的表面，所述第二电极包括多个第一电极块，多个所述第一电极块沿所述透明导电层的边缘间隔排布。

在本公开实施例的一种实现方式中，所述第二电极还包括多个第二电极块，多个所述第二电极块位于所述透明导电层的中部，且多个所述第二电极块间隔分布，所述第二电极块的数量少于所述第一电极块的数量。

在本公开实施例的另一种实现方式中，多个所述第二电极块阵列分布。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第一电极块和所述第二电极块均包括依次层叠于所述透明导电层的第一铬层、锡铟合金层和铟层。

在本公开实施例的另一种实现方式中，从靠近所述第一铬层的一面至靠近所述铟层的一面，所述锡铟合金层中锡组分的占比逐渐降低。

在本公开实施例的另一种实现方式中，从靠近所述第一铬层的一面至靠近所述铟层的一面，所述锡铟合金层中锡组分的占比的降低速率逐渐增大。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第一铬层的厚度为400埃至600埃，所述锡铟合金层的厚度为0.8μm至1.2μm，所述铟层的厚度为0.8μm至1.2μm。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第一电极包括依次层叠于所述第一半导体层的第二铬层、钛层和金层。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述第二铬层的厚度为100埃至300埃，所述钛层的厚度为100埃至300埃，所述金层的厚度为2000埃至4000埃。