[发明专利]微型发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种微型发光二极管芯片，其特征在于，所述微型发光二极管芯片包括：第一半导体层(10)、多量子阱层(20)、第二半导体层(30)、透明导电层(40)、钝化层(50)、第一电极(60)和第二电极(70)；

所述第二半导体层(30)、所述多量子阱层(20)、所述第一半导体层(10)和所述钝化层(50)依次层叠于所述透明导电层(40)上，所述钝化层(50)具有通孔(51)，所述通孔(51)露出所述第一半导体层(10)，且与所述第一半导体层(10)的中部相对，所述第一电极(60)位于所述通孔(51)内；

所述第二电极(70)位于所述透明导电层(40)远离所述第二半导体层(30)的表面，所述第二电极(70)包括多个第一电极块(71)，多个所述第一电极块(71)沿所述透明导电层(40)的边缘间隔排布。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述第二电极(70)还包括多个第二电极块(72)，多个所述第二电极块(72)位于所述透明导电层(40)的中部，且多个所述第二电极块(72)间隔分布，所述第二电极块(72)的数量少于所述第一电极块(71)的数量。

3.根据权利要求2所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，多个所述第二电极块(72)阵列分布。

4.根据权利要求2所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电极块和所述第二电极块均包括依次层叠于所述透明导电层(40)的第一铬层(73)、锡铟合金层(74)和铟层(75)。

5.根据权利要求4所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，从靠近所述第一铬层(73)的一面至靠近所述铟层(75)的一面，所述锡铟合金层(74)中锡组分的占比逐渐降低。

6.根据权利要求5所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，从靠近所述第一铬层(73)的一面至靠近所述铟层(75)的一面，所述锡铟合金层(74)中锡组分的占比的降低速率逐渐增大。

7.根据权利要求4所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述第一铬层(73)的厚度为400埃至600埃，所述锡铟合金层(74)的厚度为0.8μm至1.2μm，所述铟层(75)的厚度为0.8μm至1.2μm。

8.根据权利要求1至7任一项所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电极(60)包括依次层叠于所述第一半导体层(10)的第二铬层(61)、钛层(62)和金层(63)。

9.根据权利要求8所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述第二铬层(61)的厚度为100埃至300埃，所述钛层(62)的厚度为100埃至300埃，所述金层(63)的厚度为2000埃至4000埃。

10.一种微型发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长第二半导体层、多量子阱层、第一半导体层和第一电极；

在所述第一半导体层上形成钝化层，所述钝化层具有通孔，所述通孔露出所述第一半导体层，且与所述第一半导体层的中部相对，所述第一电极位于所述通孔内；

在所述第二半导体层远离所述多量子阱层的表面依次形成透明导电层和第二电极，所述第二电极位于所述透明导电层远离所述第二半导体层的表面，所述第二电极包括多个第一电极块，多个所述第一电极块沿所述透明导电层的边缘间隔排布。