[发明专利]金属电极剥离胶膜的制作方法及金属剥离电极的制作方法在审
| 申请号： | 202110868316.2 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113594024A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘海军;田坤;申志辉;刘奎余;吴畯;周帅;叶嗣荣 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/28 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 刘念芝 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属电极剥离胶膜的制作方法及金属剥离电极的制作方法，金属电极剥离胶膜的制作方法包括采用碱性溶液浸泡清洗半成品芯片；依次采用丙酮、乙醇和去离子水清洗半成品芯片表面；将半成品芯片烘干；在半成品芯片上涂反转胶并进行前烘；对反转胶进行曝光、反转烘烤和泛曝光；对反转胶进行显影，形成电极剥离胶膜。本发明中，利用碱性溶液处理钝化层表面，能够使钝化层表面自由能降低，从而使钝化层表面呈现一定的亲水性，便于制作出胶膜倒台倾角和扩大倒台底部展宽，能够有效解决制作电极胶膜时倒台倾斜角不稳定和胶膜厚度变薄的问题，使剥离电极尺寸稳定可控，电极边沿无金属丝粘连，可广泛应用于半导体芯片的研制和批生产工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 金属电极 剥离 胶膜 制作方法 金属 电极 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
