[发明专利]金属电极剥离胶膜的制作方法及金属剥离电极的制作方法

权利要求书

1.一种金属电极剥离胶膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用碱性溶液浸泡清洗半成品芯片；

依次采用丙酮、乙醇和去离子水清洗半成品芯片表面；

将半成品芯片烘干；

待半成品芯片冷却至常温之后，在半成品芯片上涂反转胶并进行前烘；

对反转胶进行曝光；

对反转胶进行反转烘烤和泛曝光；

对反转胶进行显影，形成电极剥离胶膜。

2.如权利要求1所述的金属电极剥离胶膜的制作方法，其特征在于，浸泡清洗半成品芯片时，将半成品芯片放入对芯片外延材料无腐蚀性的碱性溶液中浸泡清洗3min～5min。

3.如权利要求1所述的金属电极剥离胶膜的制作方法，其特征在于，将半成品芯片烘干时，将半成品芯片放入120℃～130℃的温度环境下烘烤10min～20min。

4.如权利要求1所述的金属电极剥离胶膜的制作方法，其特征在于，在半成品芯片上涂反转型光刻胶并进行前烘时，涂胶转速为3000RPM～5000RPM，反转胶厚度为1.0μm～3.0μm，随后将半成品芯片放在90℃～100℃的温度环境下烘烤150±5S。

5.如权利要求1所述的金属电极剥离胶膜的制作方法，其特征在于，对反转胶进行曝光时，采用接触式曝光机曝光，曝光模式为软接触，曝光时间为1.2S～1.8S，光强为11.5±0.5mJ/cm²。

6.如权利要求1所述的金属电极剥离胶膜的制作方法，其特征在于，对反转胶进行反转烘烤和泛曝光时，反转烘烤温度为110±1℃，泛曝光时间为80S～100S。

7.如权利要求1所述的金属电极剥离胶膜的制作方法，其特征在于，对反转胶进行显影时，显影时间为30S～60S，形成的电极剥离胶膜的倒台宽度范围为1.0μm～3.0μm。

8.一种金属剥离电极的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在半成品芯片的外延层表面生长SiO₂或SiNx介质膜或两者的复合膜作为钝化层；

在钝化层上进行电极窗口制作；

采用如权利要求1～7中任一项所述的金属电极剥离胶膜的制作方法在钝化层上制作电极剥离胶膜；

在半成品芯片上蒸发金属电极；

进行金属电极剥离及清洗。

9.如权利要求8所述的金属剥离电极的制作方法，其特征在于，蒸发金属电极时，蒸发时的衬底温度为RT～100℃，通过蒸发使整个芯片表面都覆盖0.2μm～0.8μm的金属层，电极窗口中的金属层形成金属电极。

10.如权利要求8所述的金属剥离电极的制作方法，其特征在于，进行金属电极剥离及清洗时，先采用丙酮浸泡半成品芯片将电极剥离胶膜溶解掉，然后剥离掉电极剥离胶膜之上悬空的金属层，保留电极窗口区域的金属电极，再用芯片清洗剂将芯片表面清洗干净。