[发明专利]金属电极剥离胶膜的制作方法及金属剥离电极的制作方法

说明书

本发明涉及一种金属电极剥离胶膜的制作方法及金属剥离电极的制作方法，金属电极剥离胶膜的制作方法包括采用碱性溶液浸泡清洗半成品芯片；依次采用丙酮、乙醇和去离子水清洗半成品芯片表面；将半成品芯片烘干；在半成品芯片上涂反转胶并进行前烘；对反转胶进行曝光、反转烘烤和泛曝光；对反转胶进行显影，形成电极剥离胶膜。本发明中，利用碱性溶液处理钝化层表面，能够使钝化层表面自由能降低，从而使钝化层表面呈现一定的亲水性，便于制作出胶膜倒台倾角和扩大倒台底部展宽，能够有效解决制作电极胶膜时倒台倾斜角不稳定和胶膜厚度变薄的问题，使剥离电极尺寸稳定可控，电极边沿无金属丝粘连，可广泛应用于半导体芯片的研制和批生产工艺中。

技术领域

本发明属于半导体芯片制造技术领域，涉及一种金属电极剥离胶膜的制作方法及金属剥离电极的制作方法。

背景技术

在半导体芯片制造工艺中，金属电极制作方法主要有湿法腐蚀和电极胶膜剥离法，湿法腐蚀线条的均匀性和尺寸可控性较差；因此在半导体芯片工艺中主要采用电极胶膜剥离法制作芯片电极。负性光刻胶和多层正胶虽也可做剥离电极胶膜，但尺寸分辨率较低，同时多层胶剥离工艺也较复杂且工艺可控性较差，所以一般采用单层反转型光刻胶制作电极剥离胶膜。电极剥离胶膜一般做在SiO₂或SiNx介质膜的表面，SiO₂或SiNx介质膜在空气中放置会吸潮，当采用反转型光刻胶制作电极剥离胶膜时，胶膜显影后图形的倒台面角度很不稳定，而且在空气中放置时间越长在同一工艺条件下制作倒台面的侧壁内倾角度较大且倒台底部展宽很小，导致剥离金属电极尺寸偏差大、电极边沿金属丝粘连等技术问题，当反转胶的曝光时间减少到一定程度时虽在某些极限情况下可制作出较小的倒台倾斜角度和较大的倒台底部展宽，但显影时对光刻版图上的缺陷(如光刻版图上沾污，颗粒等)具有放大作用，同时非图形区域胶膜的显影速度会随着曝光时间减少而迅速增加导致胶膜变薄，工艺过程和结果具有较大的不确定性和不稳定性。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种便于金属电极剥离的金属电极剥离胶膜的制作方法及金属剥离电极的制作方法。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种金属电极剥离胶膜的制作方法，包括以下步骤：

采用碱性溶液浸泡清洗半成品芯片；

依次采用丙酮、乙醇和去离子水清洗半成品芯片表面；

将半成品芯片烘干；

待半成品芯片冷却至常温之后，在半成品芯片上涂反转胶并进行前烘；

对反转胶进行曝光；

对反转胶进行反转烘烤和泛曝光；

对反转胶进行显影，形成电极剥离胶膜。

进一步的，浸泡清洗半成品芯片时，将半成品芯片放入对芯片外延材料无腐蚀性的碱性溶液中浸泡清洗3min～5min。

进一步的，将半成品芯片烘干时，将半成品芯片放入120℃～130℃的温度环境下烘烤10min～20min。

进一步的，在半成品芯片上涂反转型光刻胶并进行前烘时，涂胶转速为3000RPM～5000RPM，反转胶厚度为1.0μm～3.0μm，随后将半成品芯片放在90℃～100℃的温度环境下烘烤150±5S。

进一步的，对反转胶进行曝光时，采用接触式曝光机曝光，曝光模式为软接触，曝光时间为1.2S～1.8S，光强为11.5±0.5mJ/cm²。

进一步的，对反转胶进行反转烘烤和泛曝光时，反转烘烤温度为110±1℃，泛曝光时间为80S～100S。

进一步的，对反转胶进行显影时，显影时间为30S～60S，形成的电极剥离胶膜的倒台宽度范围为1.0μm～3.0μm。