[发明专利]具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成MOS晶体管的方法在审
| 申请号： | 202110848378.7 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN114068717A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | S·D·海尼;A·萨多夫尼科夫 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成所述MOS晶体管的方法。半导体装置(100)包含折叠漏极扩展金属氧化物半导体DEMOS晶体管(106)。所述半导体装置(100)具有包含带有波纹顶表面(116)的半导体材料(104)的衬底(102)。所述波纹顶表面(116)具有上部(118)、下部(120)、从所述上部(118)延伸到所述下部(120)的第一横向部分(122)及从所述上部(118)延伸到所述下部(120)的第二横向部分(124)。所述折叠DEMOS晶体管(106)包含所述半导体材料(104)中的主体(108)、所述主体(108)之上的栅极电介质层(128)上的栅极(130)、接触所述主体(108)的漂移区(112)及场板电介质层(126)上的场板(132)，其全都沿着所述波纹顶表面(116)的所述上部(118)、所述第一横向部分(122)、所述第二横向部分(124)及所述下部(120)连续地延伸。公开形成所述折叠DEMOS晶体管(106)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 折叠 通道 漂移 mos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
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