[发明专利]具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成MOS晶体管的方法

说明书

本申请案涉及具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成所述MOS晶体管的方法。半导体装置(100)包含折叠漏极扩展金属氧化物半导体DEMOS晶体管(106)。所述半导体装置(100)具有包含带有波纹顶表面(116)的半导体材料(104)的衬底(102)。所述波纹顶表面(116)具有上部(118)、下部(120)、从所述上部(118)延伸到所述下部(120)的第一横向部分(122)及从所述上部(118)延伸到所述下部(120)的第二横向部分(124)。所述折叠DEMOS晶体管(106)包含所述半导体材料(104)中的主体(108)、所述主体(108)之上的栅极电介质层(128)上的栅极(130)、接触所述主体(108)的漂移区(112)及场板电介质层(126)上的场板(132)，其全都沿着所述波纹顶表面(116)的所述上部(118)、所述第一横向部分(122)、所述第二横向部分(124)及所述下部(120)连续地延伸。公开形成所述折叠DEMOS晶体管(106)的方法。

技术领域

本公开涉及半导体装置领域。更特定来说(但非排他地)，本公开涉及半导体装置中的金属氧化物半导体(MOS)晶体管。

背景技术

半导体装置通常具有含扩展漏极的一或多个金属氧化物半导体(MOS)晶体管，通常称为扩展漏极MOS晶体管。扩展漏极MOS晶体管可在漏极上的电势高于栅极上的电势的情况下进行操作，且可用于电源电路中。对改进电流密度及降低特定导通电阻的需求正在增加。

发明内容

本公开引入一种包含折叠漏极扩展金属氧化物半导体(DEMOS)晶体管的半导体装置。所述半导体装置具有包含带有波纹顶表面的半导体材料的衬底，所述波纹顶表面具有上部、下部、从所述上部延伸到所述下部的第一横向部分及从所述上部延伸到所述下部的第二横向部分。所述折叠DEMOS晶体管包含沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地延伸的主体。所述折叠DEMOS晶体管包含所述主体上的栅极电介质层及所述栅极电介质层上的栅极，两者都沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地延伸。所述折叠DEMOS晶体管还包含沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地接触所述主体的漂移区。所述折叠DEMOS晶体管进一步包含所述漂移区上的场板电介质层及所述场板电介质层上的场板，两者都沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地延伸。公开形成所述折叠DEMOS晶体管的方法。

附图说明

图1A到图1J是描绘于实例形成方法的阶段中的包含折叠DEMOS晶体管的半导体装置的横截面。

图2A到图2J是描绘于另一实例形成方法的阶段中的包含折叠DEMOS晶体管的半导体装置的横截面。

具体实施方式

本公开参考附图进行描述。图式并非按比例绘制且提供图式仅是为了说明本公开。本公开的若干方面参考实例应用在下文进行描述来说明。应理解，陈述众多特定细节、关系及方法来提供本公开的理解。本公开不受所说明的动作或事件的排序限制，这是因为一些动作可按不同顺序及/或与其它动作或事件同时发生。此外，并不需要所有所说明的动作或事件来实施根据本公开的方法。