[发明专利]具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成MOS晶体管的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

包含半导体材料的衬底，所述半导体材料具有波纹顶表面，所述波纹顶表面包含上部、下部、从所述上部延伸到所述下部的第一横向部分及从所述上部延伸到所述下部的第二横向部分；及

折叠漏极扩展金属氧化物半导体DEMOS晶体管，其包含：

所述半导体材料中的主体，所述主体具有第一导电类型，所述主体沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地延伸；

所述主体上的栅极电介质层，所述栅极电介质层沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地延伸；

所述栅极电介质层上的栅极，所述栅极沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地延伸；及

所述半导体材料中的漂移区，所述漂移区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述漂移区沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地延伸，且沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地接触所述主体。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述折叠DEMOS晶体管进一步包含：

所述漂移区上的场板电介质层，所述场板电介质层沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地延伸；及

所述场板电介质层上的场板，其沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述折叠DEMOS晶体管进一步包含所述半导体材料中接触所述漂移区的电荷平衡区，所述电荷平衡区具有所述第一导电类型。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述电荷平衡区接触所述第一横向部分与所述第二横向部分之间的所述漂移区。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述折叠DEMOS晶体管包含所述半导体材料中接触所述主体的源极，所述源极具有所述第二导电类型；且

所述源极沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地延伸，沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地接触所述主体。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述折叠DEMOS晶体管包含接触所述源极的源极接触件，所述源极接触件沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地接触所述源极。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述折叠DEMOS晶体管包含所述半导体材料中电耦合到所述漂移区的漏极接触区，所述漏极接触区具有所述第二导电类型，所述漏极接触区具有高于所述漂移区的第二导电类型掺杂剂的平均净浓度；且

所述漏极接触区沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地延伸，沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地电耦合到所述漂移区。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述折叠DEMOS晶体管包含所述半导体材料中在所述漂移区与所述漏极接触区之间的中间漏极区，所述中间漏极区将所述漏极接触区电耦合到所述漂移区，所述中间漏极区具有所述第二导电类型，所述中间漏极区具有高于所述漂移区的第二导电类型掺杂剂的平均净浓度，且所述漏极接触区具有高于所述中间漏极区的第二导电类型掺杂剂的平均净浓度。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述折叠DEMOS晶体管包含沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地接触所述漏极接触区的漏极接触件。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述折叠DEMOS晶体管包含电耦合到所述漏极接触区的漏极连接场板，所述漏极连接场板在所述漂移区的一部分之上延伸。