[发明专利]掩模及制造掩模的方法在审
| 申请号: | 202110848278.4 | 申请日: | 2021-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN114068852A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
| 发明(设计)人: | 金桢国;金辉;李娥凛;郑茶姬;黃圭焕;南刚铉;晋丞民;洪宰敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32;C23C14/04 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘美华;韩芳 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 提供了一种掩模及制造掩模的方法,所述掩模包括:掩模片,在平面图中设置有限定在其中的多个开口区域;以及掩模框架,支撑掩模片。掩模片包括:第一部分,包括第一表面,其中,第一表面被构造为与目标基底接触;以及第二部分,设置在第一部分上,在第一方向上从第一部分的顶部延伸并且包括限定多个开口区域的第二表面。第二表面是相对于第一方向向下倾斜的倾斜表面,并且第一方向平行于其中包括第一表面的平面。 | ||
| 搜索关键词: | 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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