[发明专利]掩模及制造掩模的方法

权利要求书

1.一种掩模，所述掩模包括：

掩模片，在平面图中设置有限定在所述掩模片中的多个开口区域；以及

掩模框架，支撑所述掩模片，所述掩模片包括：第一部分，包括第一表面，其中，所述第一表面被构造为与目标基底接触；以及第二部分，设置在所述第一部分上，在第一方向上从所述第一部分的顶部延伸并且包括限定所述多个开口区域的第二表面，

其中，所述第二表面是相对于所述第一方向向下倾斜的倾斜表面，并且所述第一方向平行于其中包括所述第一表面的平面。

2.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述倾斜表面具有从30度至70度的倾斜角。

3.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述掩模片具有等于或小于每摄氏度百万分之5的热膨胀系数。

4.根据权利要求3所述的掩模，其中，所述掩模框架具有与所述掩模片的热膨胀系数相同的热膨胀系数。

5.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述掩模片在所述掩模片的厚度方向上具有从20微米至200微米的厚度。

6.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述第一部分具有比所述掩模片的厚度的一半小的厚度。

7.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述倾斜表面具有等于或小于沉积入射角的倾斜角，并且所述沉积入射角是将要沉积在所述目标基底上的沉积材料被提供到所述掩模片所用的角度。

8.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述掩模片包括铁和镍的合金。

9.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述多个开口区域包括第一开口区域以及与所述第一开口区域相邻地限定的第二开口区域，并且所述第二表面包括分别限定所述第一开口区域和所述第二开口区域的两个第二表面。

10.根据权利要求9所述的掩模，其中，所述两个第二表面设置为相对于所述第一部分彼此对称。

11.一种掩模，所述掩模包括：

掩模片，在平面图中设置有限定在所述掩模片中的多个开口区域；以及

掩模框架，支撑所述掩模片，所述掩模片包括：第一表面，被构造为与目标基底接触；以及第二表面，设置在所述第一表面上方并限定所述多个开口区域，

其中，所述第二表面是相对于第一方向向下倾斜的倾斜表面，并且所述第一方向平行于其中包括所述第一表面的平面。

12.根据权利要求11所述的掩模，其中，所述倾斜表面具有从30度至70度的倾斜角。

13.根据权利要求11所述的掩模，其中，所述掩模片在所述掩模片的厚度方向上具有等于或小于100μm的厚度。

14.根据权利要求11所述的掩模，其中，所述掩模片具有等于或小于每摄氏度百万分之5的热膨胀系数。

15.根据权利要求11所述的掩模，其中，所述掩模片被构造为在遍及个体显示装置的有机发光二极管的基体基底上沉积相同材料的相同薄膜层。

16.根据权利要求11所述的掩模，其中，所述掩模片还包括限定在所述第一表面与所述第二表面之间的第三表面，并且所述第三表面在所述掩模片的厚度方向上具有等于或小于所述掩模片的厚度的一半的长度。