[发明专利]掩模及制造掩模的方法

说明书

提供了一种掩模及制造掩模的方法，所述掩模包括：掩模片，在平面图中设置有限定在其中的多个开口区域；以及掩模框架，支撑掩模片。掩模片包括：第一部分，包括第一表面，其中，第一表面被构造为与目标基底接触；以及第二部分，设置在第一部分上，在第一方向上从第一部分的顶部延伸并且包括限定多个开口区域的第二表面。第二表面是相对于第一方向向下倾斜的倾斜表面，并且第一方向平行于其中包括第一表面的平面。

本申请要求于2020年7月31日提交的第10-2020-0095824号韩国专利申请的优先权以及由此产生的所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开涉及一种掩模及制造该掩模的方法。更具体地，本公开涉及具有改善的工艺良率和可靠性的掩模以及制造该掩模的方法。

背景技术

显示面板包括多个像素。像素中的每个包括诸如晶体管的驱动装置和诸如有机发光二极管的显示装置。通过在基底上堆叠电极和发光图案来形成显示装置。

使用通过其限定孔的掩模来图案化发光图案，因此，在通过孔暴露的预定区域中形成发光图案。发光图案具有由孔的形状确定的形状。

发明内容

本公开提供了一种掩模，该掩模具有在沉积工艺中改善的可靠性，具有降低的制造工艺成本和时间，具有在沉积工艺中改善的精度，并且具有减小的由阴影引起的死区。

本公开提供了制造该掩模的方法。

发明构思的实施例提供了一种掩模，该掩模包括：掩模片，在平面图中设置有限定在其中的多个开口区域；以及掩模框架，支撑掩模片。掩模片包括：第一部分，包括第一表面，其中，第一表面被构造为与目标基底接触；以及第二部分，设置在第一部分上，在第一方向上从第一部分的顶部延伸并且包括限定所述多个开口区域的第二表面。第二表面是相对于第一方向向下倾斜的倾斜表面，并且第一方向平行于其中包括第一表面的平面。

倾斜表面可以具有从约30度至约70度的倾斜角。

掩模片可以具有等于或小于约每摄氏度百万分之5(ppm/℃)的热膨胀系数。

掩模框架可以具有与掩模片的热膨胀系数相同的热膨胀系数。

掩模片在掩模片的厚度方向上可以具有从约20微米(μm)至约200μm的厚度。

第一部分可以具有比掩模片的厚度的一半小的厚度。

倾斜表面可以具有等于或小于沉积入射角的倾斜角，并且沉积入射角可以是将要沉积在目标基底上的沉积材料被提供到掩模片所用的角度。

掩模片可以包括铁(Fe)和镍(Ni)的合金。

所述多个开口区域可以包括第一开口区域以及与第一开口区域相邻地限定的第二开口区域，并且第二表面可以包括分别限定第一开口区域和第二开口区域的两个第二表面。

两个第二表面可以设置为相对于第一部分彼此对称。

发明构思的实施例提供了一种掩模，该掩模包括：掩模片，在平面图中设置有限定在其中的多个开口区域；以及掩模框架，支撑掩模片。掩模片包括：第一表面，被构造为与目标基底接触；以及第二表面，设置在第一表面上方并限定所述多个开口区域。第二表面是相对于第一方向向下倾斜的倾斜表面，并且第一方向平行于其中包括第一表面的平面。

倾斜表面可以具有从约30度至约70度的倾斜角。

掩模片在掩模片的厚度方向上可以具有等于或小于约100μm的厚度。

掩模片可以具有等于或小于约5ppm/℃的热膨胀系数。

掩模片可以被构造为在遍及个体显示装置的有机发光二极管的基体基底上沉积相同材料的相同薄膜层。