[发明专利]一种太阳能电池及其制造方法在审
| 申请号: | 202110843516.2 | 申请日: | 2021-07-26 |
| 公开(公告)号: | CN113594296A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
| 发明(设计)人: | 张东威 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/06;H01L31/068 |
| 代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
| 地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法,涉及太阳能电池技术领域,用于在确保绕镀扩散层被全部去除掉的同时,增大太阳能电池的下电极与N型硅片之间的接触面积,形成良好的背面接触,提高太阳能电池的光电转换效率。所述制造方法包括:对N型硅片第一方向的一面进行硼扩散处理,在N型硅片第一方向的一面上形成依次层叠的扩散层和硼硅玻璃层、以及在N型硅片的侧面和第二方向的一面上依次形成层叠的绕镀扩散层和绕镀硼硅玻璃层。依次去除绕镀硼硅玻璃层和绕镀扩散层;并对N型硅片第二方向的一面进行制绒处理,在N型硅片第二方向的一面上形成绒面结构。对绒面结构进行顶部平坦化处理,以在N型硅片的第二方向的一面上获得顶部平坦的凸起结构。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





