[发明专利]一种太阳能电池及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110843516.2 申请日: 2021-07-26
公开(公告)号: CN113594296A 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 张东威 申请(专利权)人: 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/06;H01L31/068
代理公司: 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 代理人: 王胜利
地址: 225300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 及其 制造 方法
【说明书】:

发明公开了一种太阳能电池及其制造方法,涉及太阳能电池技术领域,用于在确保绕镀扩散层被全部去除掉的同时,增大太阳能电池的下电极与N型硅片之间的接触面积,形成良好的背面接触,提高太阳能电池的光电转换效率。所述制造方法包括:对N型硅片第一方向的一面进行硼扩散处理,在N型硅片第一方向的一面上形成依次层叠的扩散层和硼硅玻璃层、以及在N型硅片的侧面和第二方向的一面上依次形成层叠的绕镀扩散层和绕镀硼硅玻璃层。依次去除绕镀硼硅玻璃层和绕镀扩散层;并对N型硅片第二方向的一面进行制绒处理,在N型硅片第二方向的一面上形成绒面结构。对绒面结构进行顶部平坦化处理,以在N型硅片的第二方向的一面上获得顶部平坦的凸起结构。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池及其制造方法。

背景技术

在实际制造隧穿氧化钝化接触电池的过程中,需要对N型硅片的正面进行硼扩散处理,以在N型硅片的正面上形成依次层叠的扩散层和硼硅玻璃层。并且,因绕镀会在N型硅片的侧面和背面上形成绕镀扩散层和绕镀硼硅玻璃层。接着在采用钝化接触工艺对N型硅片的背面进行处理前,还需要去除绕镀扩散层和绕镀硼硅玻璃层,以防止所制造的太阳能电池的上电极和下电极通过绕镀扩散层而形成短路。

但是,采用现有方法去除绕镀硼硅玻璃层和绕镀扩散层,难以在确保绕镀扩散层被全部去除掉的同时形成良好的背面接触,降低了太阳能电池的光电转换效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种太阳能电池及其制造方法,用于在确保绕镀扩散层被全部去除掉的同时,增大太阳能电池的下电极与N型硅片之间的接触面积,降低下电极与N型硅片之间的接触电阻,从而可以形成良好的背面接触,提高太阳能电池的光电转换效率。

第一方面,本发明提供了一种太阳能电池的制造方法,该太阳能电池的制造方法包括:

对N型硅片的第一方向的一面进行硼扩散处理,在N型硅片的第一方向的一面上形成依次层叠的扩散层和硼硅玻璃层、以及在N型硅片的侧面和第二方向的一面上依次形成层叠的绕镀扩散层和绕镀硼硅玻璃层。

依次去除绕镀硼硅玻璃层和绕镀扩散层。并对N型硅片的第二方向的一面进行制绒处理,在N型硅片的第二方向的一面上形成绒面结构。

对绒面结构进行顶部平坦化处理,以在N型硅片的第二方向的一面上获得顶部平坦的凸起结构。

采用上述技术方案的情况下,在对N型硅片的第一方向的一面进行硼扩散处理后,不仅会在N型硅片的第一方向的一面上形成依次层叠的扩散层和硼硅玻璃层,还会在N型硅片第二方向的一面的至少部分区域、以及N型硅片的侧面上因绕镀而形成绕镀扩散层和绕镀硼硅玻璃层。接着依次去除上述绕镀硼硅玻璃层和绕镀扩散层,并对N型硅片的第二方向的一面进行制绒处理。与现有技术中在去除绕镀扩散层并对N型硅片的第二方向的一面进行抛光处理相比,上述制绒处理可以使对N型硅片第二方向的一面的刻蚀量由0.16g左右增大至0.3g左右,确保绕镀扩散层能够被完全去除掉,防止太阳能电池具有的上、下电极之间通过绕镀扩散层而形成短路,提高太阳能电池的工作可靠性。同时,因现有的太阳能电池有漏电流,且该漏电流的方向与太阳能电池的输出电流方向相反,故该漏电流的存在会抵消部分输出电流,使得输出电流降低,相当于一个电阻并联在一个太阳能电池上。该电阻即为太阳能电池自身具有的并联电阻。基于此,在将绕镀扩散层完全去除掉后,太阳能电池具有的上、下电极之间的漏电流降低。并且,根据欧姆定律,太阳能电池自身具有的并联电阻与漏电流成反比,因此在漏电流降低的情况下,可以使得太阳能电池自身具有的并联电阻增大,利于提高太阳能电池的工作性能。

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