[发明专利]一种提高合金表面层晶粒细化且均匀的方法在审
| 申请号： | 202110818841.3 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113658767A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 贺爱娜;董亚强;黎嘉威;夏卫星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01F1/153 | 分类号： | H01F1/153;B22D11/06;C21D1/04;C21D1/26;C21D9/52;C22C33/06;C22C38/02;C22C38/04;C22C38/12;C22C38/16;C22C45/02;H01F41/02 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提高合金表面层晶粒细化且均匀的方法，包括：按照合金组分及其比例配料，熔炼，制得母合金；将母合金通过单辊快淬法制得无序基质和异质晶粒共存的合金表面层；将所述合金表面层放入磁场下退火得到最终合金表面层。该方法能够在较低的磁场强度下制备晶粒细化且均匀的合金表面层。本发明还公开了利用该方法制备的合金表面层，该合金表面层晶粒细化且分布均匀，并具有较低的损耗，以及较低的动态矫顽力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 金表 面层 晶粒 细化 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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