[发明专利]一种提高合金表面层晶粒细化且均匀的方法在审
| 申请号： | 202110818841.3 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113658767A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 贺爱娜;董亚强;黎嘉威;夏卫星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01F1/153 | 分类号： | H01F1/153;B22D11/06;C21D1/04;C21D1/26;C21D9/52;C22C33/06;C22C38/02;C22C38/04;C22C38/12;C22C38/16;C22C45/02;H01F41/02 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 金表 面层 晶粒 细化 均匀 方法 | ||
1.一种提高合金表面层晶粒细化且均匀的方法，其特征在于，包括：
按照合金组分及其比例配料，熔炼，制得母合金；
将母合金通过单辊快淬法制得无序基质和异质晶粒共存的合金表面层；
将所述合金表面层放入磁场下退火得到最终合金表面层。
2.根据权利要求1所述的提高合金表面层晶粒细化且均匀的方法，其特征在于，所述的磁场的磁场强度不高于110mT。
3.根据权利要求1所述的提高合金表面层晶粒细化且均匀的方法，其特征在于，所述的退火工艺为：以每小时1-60℃升温至异质晶粒晶化温度后保温1-5h，然后冷却至室温。
4.根据权利要求1所述的提高合金表面层晶粒细化且均匀的方法，其特征在于，所述的合金组分为FeCuSiBNbM或FeSiBM，其中，M为Mo、Al、Cr、Co、Ni、Mn、Ga、Mg、C、P、O中的任一种或多种。
5.根据权利要求1-4任一项所述的提高合金表面层晶粒细化且均匀的方法，其特征在于，所述的异质晶粒占表面层的比例为45–75％。
6.根据权利要求1-4任一项所述的提高合金表面层晶粒细化且均匀的方法，其特征在于，所述的合金为高饱和磁感应强度铁基合金，其中，铁的原子百分含量大于等于75％。
7.根据权利要求1-4任一项所述的提高合金表面层晶粒细化且均匀的方法，其特征在于，所述的最终合金表面层的厚度为500-800nm。
8.根据权利要求1-4任一项所述的提高合金表面层晶粒细化且均匀的方法，其特征在于，所述的异质晶粒具有择优取向且垂直于最终合金表面层。
9.根据权利要求8任一项所述的提高合金表面层晶粒细化且均匀的方法，其特征在于，所述的磁场的磁场方向与异质晶粒的择优取向垂直。
10.根据权利要求1-9任一项所述的提高合金表面层晶粒细化且均匀的方法制得合金表面层，所述的合金表面层中的晶粒大小为280-310nm。
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