[发明专利]一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110817730.0 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113871468A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 康俊勇;李光容;王伟平;吴志明;孔丽晶;吴雅苹;李煦 | 申请（专利权）人： | 厦门大学;厦门大学九江研究院 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人： | 秦月贞 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法，其器件结构包括至下而上依次设置的背电极、N+型4H‑SiC外延材料基片层、AlN与Al2O3堆叠的栅介质层、栅电极。本发明通过采用高介电常数的AlN与Al2O3材料结合为叠栅结构介质层，以氮等离子体对底层栅介质AlN进行表面钝化，实现了表面平整无重构，优化了底层栅介质与上层栅介质的界面连接，改善了碳化硅MIS器件的衬底和栅介质的界面特性，提高了载流子迁移率和临界击穿场强，最终提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 结构 碳化硅 mis 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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