[发明专利]一种微器件集成结构的制造方法及其集成结构有效
| 申请号： | 202110808985.0 | 申请日： | 2021-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN113539860B | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 蔺光磊 | 申请（专利权）人： | 芯知微（上海）电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/488;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 张立君 |
| 地址： | 201600 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微器件集成结构的制造方法及其集成结构，包括步骤：提供基板，基板内形成有多个第一微器件，所述基板包括相对的第一面和第二面，所述基板的第一面形成多个第一导电块；所述介质层上还形成有多个裸露的第一焊垫，所述第一焊垫与所述互连结构电连接；提供第二微器件，所述第二微器件上形成多个裸露的第二焊垫；在所述第一焊垫上和/或所述第二焊垫上形成导电凸块；所述第一微器件和第二微器件粘接连接，所述第一焊垫和第二焊垫通过所述导电凸块电连接。本发明通过先在第一焊垫上和/或第二焊垫上形成导电凸块，然后通过导电凸块实现第一微器件和第二微器件的电连接，简化工艺，降低工艺难度，提高集成度，提高封装结构的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 集成 结构 制造 方法 及其 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
