[发明专利]一种微器件集成结构的制造方法及其集成结构

权利要求书

1.一种微器件集成结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板内形成有多个第一微器件，所述基板包括相对的第一面和第二面，所述基板的第一面形成多个第一导电块；

在所述基板上形成介质层，所述介质层内形成互连结构，所述互连结构与所述第一导电块电连接；所述介质层上还形成有多个裸露的第一焊垫，所述第一焊垫与所述互连结构电连接；

提供第二微器件，所述第二微器件上形成多个裸露的第二焊垫；

在所述第一焊垫上和/或所述第二焊垫上形成导电凸块；

所述第一微器件和第二微器件粘接连接，所述第一焊垫和第二焊垫通过所述导电凸块电连接；

所述粘结的方法包括：通过可光刻的键合材料将所述第二微器件粘合在所述介质层上；

所述可光刻的键合材料至少覆盖所述第二微器件面积的10％。

2.根据权利要求1所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，所述导电凸块的形成方法包括：在形成第一焊垫之后，在第一焊垫上形成导电凸块；或者，

在形成第二焊垫之后，在第二焊垫上形成导电凸块；或者，

在形成第一焊垫之后，在第一焊垫上形成第一导电凸块，在形成第二焊垫之后，在第二焊垫上形成第二导电凸块，所述第一微器件和第二微器件粘接连接，所述第一焊垫和第二焊垫通过所述第一导电凸块和第二导电凸块键合实现电连接，所述第一导电凸块和第二导电凸块构成所述导电凸块。

3.根据权利要求1所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，导电凸块通过电镀或者植球工艺形成在所述第一焊垫和/或第二焊垫上。

4.根据权利要求2所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，第一导电凸块与第二导电凸块键合的工艺包括熔融键合、黏着键合。

5.根据权利要求1所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，导电凸块的材料包括：铜、钛、铝、金、镍、铁、锡、银、锌或铬中的任意一种或多种。

6.根据权利要求1所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，可光刻的键合材料覆盖所述导电凸块外围的区域。

7.根据权利要求1所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，所述可光刻的键合材料包括：膜状干膜或液态干膜。

8.根据权利要求7所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，所述干膜的形成方法包括：

所述第一微器件与所述第二微器件粘接之前，在所述介质层上形成干膜；

或者，

第一微器件与所述第二微器件粘接之前，在所述第二微器件上形成干膜。

9.根据权利要求3所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，所述电镀工艺包括化学镀；

所述化学镀包括：化学镀钯浸金，其中化学镍的时间为30分钟至50分钟，化学金的时间为4分钟至40分钟，化学钯的时间为7分钟至32分钟；或者，化学镍金，其中化学镍的时间为30分钟至50分钟，化学金的时间为4分钟至40分钟；或者，化学镍，其中化学镍的时间为30分钟至50分钟。

10.根据权利要求1所述的微器件集成结构的制造方法，其特征在于，形成所述导电凸块后，还包括：形成塑封层，覆盖所述第二微器件及所述介质层。