[发明专利]高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及制造方法在审
| 申请号： | 202110800171.2 | 申请日： | 2021-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN113611751A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 刘溪;赵春荣 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/77 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋铁军 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及使用和制造方法，对近源栅电极、近漏栅电极和漏电极同时正向偏置，低肖特基势垒源区、无掺杂半导体层和低肖特基势垒漏区形成通路，该数字芯片处于导通、低阻状态，对源电极输出逻辑1；对近源栅电极、近漏栅电极同时反向偏置，对漏电极正向偏置，高肖特基势垒源区、无掺杂半导体层和高肖特基势垒漏区形成通路，该数字芯片处于导通、低阻状态，对源电极输出逻辑1；对近源栅电极、近漏栅电极其中一个施加正向偏置，另一个施加反向偏置，对漏电极施加正向偏置，该数字芯片处于关断、高阻状态，对源电极输出逻辑0。 | ||
| 搜索关键词： | 高低 肖特基势垒无 掺杂 xnor 逻辑 数字 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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