[发明专利]用于列修复的存储器件在审

专利信息
申请号: 202110796935.5 申请日: 2021-07-14
公开(公告)号: CN114333970A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 朴珠用;金敏洙;边大锡;郭判硕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44;G11C29/12;G11C7/18;G11C7/12
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;王凯霞
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种存储器件包括:包括正常存储单元和冗余存储单元的存储单元阵列;第一页面缓冲器,其通过包括第一位线组和第二位线组的第一位线连接到所述正常存储单元,被布置在与沿第一方向延伸的所述第一位线相对应的第一区域中并且在所述第一方向上共线;以及第二页面缓冲器,其通过包括第三位线组和第四位线组的第二位线连接到所述冗余存储单元,被布置在与沿所述第一方向延伸的所述第二位线相对应的第二区域中并且在所述第一方向上共线,其中,当连接到所述第一位线组的至少一个正常存储单元被确定为缺陷单元时,将连接到所述第一位线组的正常存储单元替换为连接到所述第三位线组的冗余存储单元。
搜索关键词: 用于 修复 存储 器件
【主权项】:
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