[发明专利]用于列修复的存储器件

说明书

一种存储器件包括：包括正常存储单元和冗余存储单元的存储单元阵列；第一页面缓冲器，其通过包括第一位线组和第二位线组的第一位线连接到所述正常存储单元，被布置在与沿第一方向延伸的所述第一位线相对应的第一区域中并且在所述第一方向上共线；以及第二页面缓冲器，其通过包括第三位线组和第四位线组的第二位线连接到所述冗余存储单元，被布置在与沿所述第一方向延伸的所述第二位线相对应的第二区域中并且在所述第一方向上共线，其中，当连接到所述第一位线组的至少一个正常存储单元被确定为缺陷单元时，将连接到所述第一位线组的正常存储单元替换为连接到所述第三位线组的冗余存储单元。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2020年9月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0127541的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件，并且更具体地，涉及用于列修复的存储器件。

背景技术

半导体存储器件可以包括许多用于存储数据的存储单元。当在存储器件的批量生产/制造期间在存储单元中发生至少一个缺陷时，可以修复缺陷单元，并且因此可以提高存储器件的良率。为了修复缺陷单元，存储器件可以在备用区域中单独包括冗余存储单元，并且可以利用冗余存储单元替换缺陷单元。

在修复缺陷单元期间的列修复中，可以将连接到缺陷单元的列线(例如，位线)替换为连接到冗余存储单元的列线。例如，可以通过将指示连接到缺陷单元的列线的列地址映射到(或转换成)指示连接到冗余存储单元的列线的另一列地址，来执行列修复。

当连接到多条列线的存储单元当中的至少一个存储单元被确定为缺陷单元时，可以将连接到与列修复单元相对应的一些列线的存储单元替换为连接到其他列线的冗余存储单元。在这种情况下，当与列修复单元相对应的列线的数目增加时，列修复所需的冗余存储单元的数目也会增加。当冗余存储单元的数目增加时，存储器件的芯片面积也会增加，这可能降低效率和/或生产率。

发明内容

根据一些示例实施例，提供了一种存储器件，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括正常存储单元和冗余存储单元；第一页面缓冲器，所述第一页面缓冲器通过第一位线连接到所述正常存储单元，所述第一位线包括第一位线组和第二位线组，所述第一页面缓冲器布置在第一区域中并且在第一方向上共线，所述第一区域对应于沿所述第一方向延伸的所述第一位线；以及第二页面缓冲器，所述第二页面缓冲器通过第二位线连接到所述冗余存储单元，所述第二位线包括第三位线组和第四位线组，所述第二页面缓冲器布置在第二区域中并且在所述第一方向上共线，所述第二区域对应于沿所述第一方向延伸的所述第二位线。所述存储器件被配置为：响应于连接到所述第一位线组的至少一个正常存储单元被确定为缺陷单元，将连接到所述第一位线组的正常存储单元替换为连接到所述第三位线组的冗余存储单元。

根据一些示例实施例，提供了一种存储器件，包括存储单元阵列以及外围电路，所述存储单元阵列包括正常存储单元和冗余存储单元，所述外围电路包括第一页面缓冲器和第二页面缓冲器，所述第一页面缓冲器通过被划分成正常位线组的第一位线连接到所述正常存储单元，所述第二页面缓冲器通过被划分成冗余位线组的第二位线连接到所述冗余存储单元。所述外围电路被配置为：根据列修复信息，输出通过第一有线OR线从所述第一页面缓冲器接收的第一数据和通过第二有线OR线从所述第二页面缓冲器接收的第二数据，作为译码器输出信号。所述存储器件被配置为：响应于至少一个所述正常存储单元被确定为缺陷单元，生成指示所述正常位线组之一对应于所述冗余位线组之一的所述列修复信息。