[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110793576.8 申请日: 2021-07-14
公开(公告)号: CN114975164A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 藤井干;久保田浩史;相宗史记 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/324;H01L27/11568;H01L27/11582;B01D5/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实施方式提供一种能够抑制将衬底处理部的排出气体无端废弃的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。一实施方式的半导体制造装置具备衬底处理部,所述衬底处理部使用第1物质的气体与第2物质的气体对衬底进行处理,并排出包含所述第1及第2物质中的至少任一种的第1气体。所述装置还具备将从所述衬底处理部排出的所述第1气体废弃的废弃部。所述装置还具备回收部,所述回收部使用从所述衬底处理部排出的所述第1气体内的所述第1物质,生成包含所述第2物质的第2气体,并将所述第2气体供给到所述衬底处理部。
搜索关键词: 半导体 制造 装置 方法
【主权项】:
暂无信息
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