[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造装置，具备：

衬底处理部，使用第1物质的气体与第2物质的气体对衬底进行处理，并排出包含所述第1及第2物质中的至少任一种的第1气体；

废弃部，将从所述衬底处理部排出的所述第1气体废弃；以及

回收部，使用从所述衬底处理部排出的所述第1气体内的所述第1物质，生成包含所述第2物质的第2气体，并将所述第2气体供给到所述衬底处理部。

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述第1物质为D₂或H₂(H表示氢，D表示氘)，所述第2物质为D₂O或H₂O(O表示氧)。

3.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其中所述回收部使作为所述第1物质的D₂或H₂与O₂发生反应，生成作为所述第2物质的D₂O或H₂O。

4.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述回收部具备：生成器，使用所述第1气体内的所述第1物质生成所述第2物质；以及收容部，收容包含利用所述生成器所生成的所述第2物质的液体。

5.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其中所述回收部还具备使利用所述生成器所生成的所述第2物质从气体变为液体的冷凝器，将从所述冷凝器排出的所述液体收容在所述收容部内。

6.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其中所述回收部还具备使从所述收容部排出的所述液体变为所述第2气体的气化器，将从所述气化器排出的所述第2气体供给到所述衬底处理部。

7.根据权利要求4所述的半导体制造装置，其还具备：

测量部，测量所述收容部内的液体的液位；

切换部，使从所述衬底处理部排出的所述第1气体的排出目的地在所述废弃部与所述回收部之间进行切换；以及

控制部，基于由所述测定部所测量出的所述液位，对所述切换部进行控制。

8.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述回收部具备收容所述第1气体的收容部。

9.根据权利要求8所述的半导体制造装置，其中所述回收部还具备使用从所述收容部排出的所述第1气体内的所述第1物质生成所述第2物质的生成器，将包含由所述生成器所生成的所述第2物质的所述第2气体供给到所述衬底处理部。

10.根据权利要求8所述的半导体制造装置，其还具备：

测量部，测量所述收容部内的气体的压力；

切换部，使从所述衬底处理部排出的所述第1气体的排出目的地在所述废弃部与所述回收部之间进行切换；以及

控制部，基于由所述测量部所测量出的所述压力，对所述切换部进行控制。

11.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述废弃部具备将从所述衬底处理部排出的所述第1气体净化的净化器，将由所述净化器净化后的所述第1气体废弃。

12.根据权利要求11所述的半导体制造装置，其中所述净化器通过使所述第1气体内的所述第1物质变为所述第2物质，而将所述第1气体净化。

13.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中所述衬底处理部使用所述第1物质的气体与所述第2物质的气体，对所述衬底进行退火。

14.一种半导体制造装置，具备：

衬底处理部，使用第1物质的气体与第2物质的气体对衬底进行处理，并排出包含所述第1及第2物质中的至少任一种的第1气体；

废弃部，将从所述衬底处理部排出的所述第1气体废弃；以及

回收部，将从所述衬底处理部排出的所述第1气体回收用于再循环。