[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法

说明书

实施方式提供一种能够抑制将衬底处理部的排出气体无端废弃的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。一实施方式的半导体制造装置具备衬底处理部，所述衬底处理部使用第1物质的气体与第2物质的气体对衬底进行处理，并排出包含所述第1及第2物质中的至少任一种的第1气体。所述装置还具备将从所述衬底处理部排出的所述第1气体废弃的废弃部。所述装置还具备回收部，所述回收部使用从所述衬底处理部排出的所述第1气体内的所述第1物质，生成包含所述第2物质的第2气体，并将所述第2气体供给到所述衬底处理部。

[相关申请的交叉参考]

本申请享有以日本专利申请2021-029111号(申请日：2021年2月25日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体制造装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

在反应器(reactor)内使用气体对衬底进行处理的情况下，有时包含反应器中未被消耗的气体的排出气体从反应器排出。如果将这样的排出气体废弃，那么反应器中未被消耗的气体就被无端废弃了。

发明内容

本发明要解决的问题在于提供一种能够抑制将反应器等衬底处理部的排出气体无端废弃的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。

一实施方式的半导体制造装置具备衬底处理部，所述衬底处理部使用第1物质的气体与第2物质的气体对衬底进行处理，并排出包含所述第1及第2物质中的至少任一种的第1气体。所述装置还具备将从所述衬底处理部排出的所述第1气体废弃的废弃部。所述装置还具备回收部，所述回收部使用从所述衬底处理部排出的所述第1气体内的所述第1物质，生成包含所述第2物质的第2气体，并将所述第2气体供给到所述衬底处理部。

附图说明

图1是示意性地表示第1实施方式的半导体制造装置的构成的立体图。

图2是示意性地表示第1实施方式的D₂O生成器的构成例的剖视图。

图3是表示第1实施方式的反应器的动作例的流程图。

图4是表示第1实施方式的衬底的示例的剖视图(1/2)。

图5是表示第1实施方式的衬底的示例的剖视图(2/2)。

图6是示意性地表示第2实施方式的半导体制造装置的构成的立体图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。在图1至图6中，对相同构成标注相同的符号，并省略重复说明。

(第1实施方式)

图1是示意性地表示第1实施方式的半导体制造装置的构成的立体图。

图1的半导体制造装置具备反应器11、泵12、净化器(洗涤器)13、D₂O生成器14、D₂O冷凝器15、D₂O罐16、D₂O气化器17、液位计21、阀22、及控制部23(D表示氘，O表示氧)。反应器11是衬底处理部的示例，D₂O罐16是收容部的示例。进而，液位计21是测量部的示例，阀22是切换部的示例。图1的半导体制造装置还具备D₂供给部1、D₂O供给部2、O₂供给部3、及D₂供给部4。