[发明专利]一种干法制备单层二维半导体阵列的方法有效
| 申请号： | 202110766557.6 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113488373B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 刘渊;李志伟 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410082 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种干法制备大面积单层二维半导体阵列的方法，包括：(1)在基底上制备图案化的金网格薄膜，在金网格薄膜表面旋涂聚合物并烘干制备金网格胶带，将金网格胶带按压到二维半导体块材表面并加热，剥离金网格胶带，获得大面积连续单层二维半导体；(2)将带有大面积连续单层二维半导体的金网格胶带对准功能化的目标基底，按压接触，加热使大面积连续单层二维半导体与目标基底充分接触，然后冷却到室温，剥离金网格胶带，从而释放得到大面积单层二维半导体阵列。本发明可以制备材料表面的洁净度和本征性质不受影响的大面积单层的二维半导体阵列，且方便后续制备场效应管阵列器件和范德华异质结阵列堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 法制 单层 二维 半导体 阵列 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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