[发明专利]半导体结构的测量方法及测量系统在审
| 申请号： | 202110764167.5 | 申请日： | 2021-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN115588622A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 李宗翰;刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孟秀娟;臧建明 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构的测量方法及测量系统，涉及半导体技术领域，该半导体结构的测量方法包括如下步骤：提供第一半导体结构和第二半导体结构。本申请通过分别获取第一半导体结构和第二半导体结构的电容值，同时，在第二半导体结构和第一半导体结构在同一晶圆上制备的前提下，得知第一中心区域的电容值与第二中心区域的电容值的比值，以及第一边缘区域的电容值与第二边缘区域的电容值的比值，并根据上述的数值，得到第一中心区域的电容值与第一边缘区域的电容值的比值，通过该比值的大小来判断有源层的厚度均匀性，以为半导体结构的制备提供理论支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 测量方法 测量 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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