[发明专利]半导体结构的测量方法及测量系统

说明书

本申请提供一种半导体结构的测量方法及测量系统，涉及半导体技术领域，该半导体结构的测量方法包括如下步骤：提供第一半导体结构和第二半导体结构。本申请通过分别获取第一半导体结构和第二半导体结构的电容值，同时，在第二半导体结构和第一半导体结构在同一晶圆上制备的前提下，得知第一中心区域的电容值与第二中心区域的电容值的比值，以及第一边缘区域的电容值与第二边缘区域的电容值的比值，并根据上述的数值，得到第一中心区域的电容值与第一边缘区域的电容值的比值，通过该比值的大小来判断有源层的厚度均匀性，以为半导体结构的制备提供理论支撑。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的测量方法及测量系统。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic random access memory，简称DRAM)是一种高速地、随机地写入和读取数据的半导体存储器，被广泛地应用到数据存储模块或装置中。

动态随机存储器通常包括阵列区和沿阵列区周围设置的外围电路区，其中，外围电路区内设置有晶体管，该晶体管通常包括有源层以及设置在有源层上的栅氧化层和栅极，相关技术中，通常会采用电容-电压测量方法来测量有源层与栅极之间的电容值，用电容值来保证动态随机存储器的性能。

但是，上述的测量方式仅能够获得有源层与栅极之间的电容值，并不能对有源层的均匀性进行表征。

发明内容

鉴于上述问题，本申请实施例提供一种半导体结构的测量方法及测量系统，用于对有源层的均匀性进行表征。

为了实现上述目的，本申请实施例提供如下技术方案：

本申请实施例的第一方面提供一种半导体结构的测量方法，其包括如下的步骤：

提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一有源层以及层叠设置在所述第一有源层上的第一栅氧化层和第一栅极，所述第一栅极在所述第一有源层上的投影包括第一中心区域以及围绕所述第一中心区域的第一边缘区域；

提供第二半导体结构，所述第二半导体结构与所述第一半导体结构在同一晶圆上制备，且所述第二半导体结构包括第二有源层以及层叠设置在所述第二有源层上的第二栅氧化层和第二栅极，所述第二栅极在所述第二有源层上投影包括第二中心区域以及围绕所述第二中心区域的第二边缘区域；第一中心区域和第二中心区域的长度不同，第一边缘区域和第二边缘区域的长度相同；

获取所述第一半导体结构的电容值C_总1和所述第二半导体结构的电容值C_总2；

获取所述第一中心区域的电容值与所述第二中心区域的电容值的比值，以及获取所述第一边缘区域的电容值与所述第二边缘区域的电容值的比值；

根据所述C_总1、所述C_总2、所述第一中心区域的电容值与所述第二中心区域的电容值的比值以及所述第一边缘区域的电容值与所述第二边缘区域的电容值的比值，得到所述第一中心区域的电容值与所述第一边缘区域的电容值的比值。

如上所述的半导体结构的测量方法，其中，获取所述第一半导体结构的电容值C_总1和所述第二半导体结构的电容值C_总2的步骤中，包括：

获取所述第一半导体结构中所述第一栅极和所述第一有源层之间的电容值，该电容值记为C_总1；

获取所述第二半导体结构中所述第二栅极和所述第二有源层之间的电容值，该电容值记为C_总2。

如上所述的半导体结构的测量方法，其中，获取所述第一半导体结构中所述第一栅极和所述第一有源层之间的电容值，该电容值记为C_总1的步骤中，包括：