[发明专利]半导体结构的测量方法及测量系统

权利要求书

1.一种半导体结构的测量方法，其特征在于，包括如下的步骤：

提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一有源层以及层叠设置在所述第一有源层上的第一栅氧化层和第一栅极，所述第一栅极在所述第一有源层上的投影包括第一中心区域以及围绕所述第一中心区域的第一边缘区域；

提供第二半导体结构，所述第二半导体结构与所述第一半导体结构在同一晶圆上制备，且所述第二半导体结构包括第二有源层以及层叠设置在所述第二有源层上的第二栅氧化层和第二栅极，所述第二栅极在所述第二有源层上投影包括第二中心区域以及围绕所述第二中心区域的第二边缘区域；第一中心区域和第二中心区域的长度不同，第一边缘区域和第二边缘区域的长度相同；

获取所述第一半导体结构的电容值C_总1和所述第二半导体结构的电容值C_总2；

获取所述第一中心区域的电容值与所述第二中心区域的电容值的比值，以及获取所述第一边缘区域的电容值与所述第二边缘区域的电容值的比值；

根据所述C_总1、所述C_总2、所述第一中心区域的电容值与所述第二中心区域的电容值的比值以及所述第一边缘区域的电容值与所述第二边缘区域的电容值的比值，得到所述第一中心区域的电容值与所述第一边缘区域的电容值的比值。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的测量方法，其特征在于，获取所述第一半导体结构的电容值C_总1和所述第二半导体结构的电容值C_总2的步骤中，包括：

获取所述第一半导体结构中所述第一栅极和所述第一有源层之间的电容值，该电容值记为C_总1；

获取所述第二半导体结构中所述第二栅极和所述第二有源层之间的电容值，该电容值记为C_总2。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的测量方法，其特征在于，获取所述第一半导体结构中所述第一栅极和所述第一有源层之间的电容值，该电容值记为C_总1的步骤中，包括：

提供第一电源模块，所述第一电源模块与所述第一栅极连接，用于给所述第一栅极提供电压；

提供第一检测模块，所述第一检测模块与所述第一有源层连接，用于测量流经第一栅极和第一栅氧化层之后电流的振幅和相位偏移；

根据电压值、电流的振幅以及相位偏移，得到C_总1。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的测量方法，其特征在于，

所述第一电源模块通过第一连接导线与所述第一栅极连接；

所述第一检测模块通过第二连接导线与所述第一有源层连接。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的测量方法，其特征在于，所述第一连接导线与所述第一栅极之间具有第一焊盘，所述第二连接导线与所述第一有源层之间具有第二焊盘。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的测量方法，其特征在于，所述第一半导体结构为多个，多个所述第一半导体结构呈阵列排布；

所述第一连接导线的个数为多条，每条所述第一连接导线连接位于同一行上各个所述第一半导体结构的第一焊盘；

所述第二连接导线的个数为多条，每条所述第二连接导线连接位于同一行上各个所述第一半导体结构的第二焊盘。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的测量方法，其特征在于，当所述第一半导体结构的个数为多个时，多个第一半导体结构呈阵列排布时，获取所述第一半导体结构的电容值C_总1的步骤，包括：

获取多个所述第一半导体结构的所述第一有源层与所述第一栅极之间的总电容值；

根据多个所述第一半导体结构的所述第一有源层与所述第一栅极之间的总电容值，得到所述第一半导体结构的所述第一有源层与所述第一栅极之间的电容值的平均值，该平均值作为C_总1。