[发明专利]异质结太阳能电池片的制备方法有效
| 申请号： | 202110762196.8 | 申请日： | 2021-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN113471337B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 龚道仁;张良;周肃;徐晓华;王文静;姚真真;魏文文 | 申请（专利权）人： | 安徽华晟新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 242000 安徽省宣城市宣城*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种异质结太阳能电池片的制备方法，包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行双面制绒处理；对半导体衬底进行双面制绒处理之后，在半导体衬底的正面形成掩膜层；在形成掩膜层之后，对半导体衬底的背面进行腐蚀处理；在进行腐蚀处理之后，清洗半导体衬底的背面，且在清洗半导体衬底的背面的同时去除半导体衬底的正面的掩膜层。本发明的异质结太阳能电池片的制备方法中，双面制绒后单面形成的掩膜层在腐蚀处理后的清洗步骤中去除，无需为去除掩膜单独设置工艺步骤，即可实现半导体衬底的单面腐蚀，形成单面绒面的半导体衬底，工艺简单、流程短。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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