[发明专利]异质结太阳能电池片的制备方法

说明书

本发明提供一种异质结太阳能电池片的制备方法，包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行双面制绒处理；对半导体衬底进行双面制绒处理之后，在半导体衬底的正面形成掩膜层；在形成掩膜层之后，对半导体衬底的背面进行腐蚀处理；在进行腐蚀处理之后，清洗半导体衬底的背面，且在清洗半导体衬底的背面的同时去除半导体衬底的正面的掩膜层。本发明的异质结太阳能电池片的制备方法中，双面制绒后单面形成的掩膜层在腐蚀处理后的清洗步骤中去除，无需为去除掩膜单独设置工艺步骤，即可实现半导体衬底的单面腐蚀，形成单面绒面的半导体衬底，工艺简单、流程短。

技术领域

本发明涉及太阳能电池领域，具体涉及一种异质结太阳能电池片的制备方法。

背景技术

太阳能电池具有清洁无污染、可再生、工作性能稳定等优点。根据太阳能电池结构、制备工艺和使用材料的不同，太阳能电池划分为不同的类型。包括：硅基太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、有机太阳能电池等，其中硅基太阳能电池是发展最成熟的，包括P型太阳能电池、N型太阳能电池，例如异质结太阳能电池等。以异质结太阳能电池作为示例，其在N型衬底的一侧或两侧制备半导体层、透明导电层和金属电极形成电池片，接着将多个电池片进行互联并封装形成组件，组件发电后通过逆变器回馈电网。

异质结太阳能电池的制备具体为，以N型硅片为衬底进行两侧面制绒，绒面正面由内到外依次为本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜和透明导电氧化物膜；绒面背面由内到外依次为本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜和透明导电氧化物膜。异质结太阳能电池制备工艺流程简洁，通过沉积方式形成上述各薄膜结构，再通过丝网印刷工艺在两面最外侧制备金属电极，从而完成制备。

异质结太阳能电池的光电转换效率存在提升空间。

发明内容

因此本发明提供一种异质结太阳能电池片制备方法及异质结太阳能电池片，以提高光电转换效率的问题。

本发明提供一种异质结太阳能电池片的制备方法，包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行双面制绒处理；对半导体衬底进行双面制绒处理之后，在半导体衬底的正面形成掩膜层，掩膜层的材料为耐碱不耐酸的透明导电材料；在形成掩膜层之后，对半导体衬底的背面进行腐蚀处理；在进行腐蚀处理之后，清洗半导体衬底的背面，且在清洗半导体衬底的背面的同时去除掩膜层。

可选的，透明导电材料包括氧化铟锡。

可选的，掩膜层的厚度为10nm-1000nm。

可选的，在双面制绒处理之前，对半导体衬底进行预清洗。

可选的，预清洗液预清洗步骤采用的预清洗液为碱溶液。

可选的，预清洗液为KOH溶液，预清洗液中KOH的质量浓度为2％-10％，预清洗液的温度为60℃-85℃，反应时间为50s-200s。

可选的，对所述半导体衬底进行预清洗的步骤中，半导体衬底表面去除的厚度为4μm-15μm。

可选的，在双面制绒处理之后，在形成掩膜层之前，进行第一次湿式化学清洗。

可选的，双面制绒处理采用的制绒反应液为碱溶液。

可选的，制绒反应液为KOH溶液，制绒反应液中KOH质量浓度为1％-5％，制绒反应液的温度为60℃-85℃；反应时间为300s-550s。

可选的，腐蚀处理包括以下步骤：提供腐蚀液；将半导体衬底的背面设置在腐蚀液的液面上方且朝向腐蚀液的液面；将半导体衬底的背面设置为朝向腐蚀液的液面之后，自半导体衬底的背面至腐蚀液的液面的方向，将至少部分半导体衬底浸入腐蚀液中，以使半导体衬底的背面完全浸入腐蚀液；将至少部分半导体衬底浸入腐蚀液中之后，半导体衬底的背面在腐蚀液中进行浸泡处理。

可选的，腐蚀液为碱溶液。