[发明专利]异质结太阳能电池片的制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

对所述半导体衬底进行双面制绒处理；

对所述半导体衬底进行双面制绒处理之后，在所述半导体衬底的正面形成掩膜层，所述掩膜层的材料为耐碱不耐酸的透明导电材料；所述透明导电材料包括氧化铟锡；

在形成所述掩膜层之后，对所述半导体衬底的背面进行腐蚀处理；

在进行腐蚀处理之后，清洗所述半导体衬底的背面，且在清洗所述半导体衬底的背面的同时去除所述掩膜层。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述掩膜层的厚度为10nm-1000nm。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述双面制绒处理之前，对所述半导体衬底进行预清洗。

4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，

所述预清洗的步骤采用的预清洗液为碱溶液。

5.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，

所述预清洗液为KOH溶液，所述预清洗液中KOH的质量浓度为2％-10％，所述预清洗液的温度为60℃-85℃，反应时间为50s-200s。

6.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，

所述对所述半导体衬底进行预清洗的步骤中，所述半导体衬底表面去除的总厚度为4μm-15μm。

7.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，在所述双面制绒处理之后，在形成所述掩膜层之前，进行第一次湿式化学清洗。

8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，所述双面制绒处理采用的制绒反应液为碱溶液。

9.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，

所述制绒反应液为KOH溶液，所述制绒反应液中KOH的质量浓度为1％-5％，所述制绒反应液的温度为60℃-85℃；制绒反应时间为300s-550s。

10.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，

所述腐蚀处理包括以下步骤：

提供腐蚀液；

将所述半导体衬底的背面设置在所述腐蚀液的液面上方且朝向所述腐蚀液的液面；

将所述半导体衬底的背面设置为朝向所述腐蚀液的液面之后，自所述半导体衬底的背面至所述腐蚀液的液面的方向，将至少部分所述半导体衬底浸入所述腐蚀液中，以使所述半导体衬底的背面完全浸入所述腐蚀液；

将至少部分所述半导体衬底浸入所述腐蚀液中之后，所述半导体衬底的背面在所述腐蚀液中进行浸泡处理。

11.根据权利要求10所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，

所述腐蚀液为碱溶液，所述腐蚀液包括KOH溶液。

12.根据权利要求11所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，

所述腐蚀液中KOH的质量浓度为2％-15％，所述腐蚀液的温度为50℃-75℃，反应时间为50s-200s。

13.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，

所述在进行腐蚀处理之后，清洗所述半导体衬底的背面步骤为：对所述半导体衬底的背面进行第二次湿式化学清洗，同时去除所述半导体衬底的正面的所述掩膜层。

14.根据权利要求1-13任一项所述的异质结太阳能电池片的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述半导体衬底一侧表面形成第一导电类型半导体层；所述第一导电类型半导体层的导电类型与所述半导体衬底的导电类型相反；

在所述半导体衬底另一侧表面形成第二导电类型半导体层；所述第二导电类型半导体层的导电类型与所述半导体衬底的导电类型相同；

在所述第一导电类型半导体层背向所述半导体衬底的一侧形成第一透明导电层，所述第一透明导电层的材料与所述掩膜层的材料相同；

在所述第二导电类型半导体层背向所述半导体衬底的一侧形成第二透明导电层，所述第二透明导电层的材料与所述掩膜层的材料相同。