[发明专利]避开氧化铝钝化的PERC电池和电池钝化层的制作方法有效
| 申请号： | 202110751841.6 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113659032B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 杨苏平;陈刚;吴疆;林纲正 | 申请（专利权）人： | 广东爱旭科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50 |
| 代理公司： | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人： | 贾振勇 |
| 地址： | 528000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种避开氧化铝钝化的PERC电池和电池钝化层的制作方法。避开氧化铝钝化的PERC电池，包括依次层叠设置的：电池基片、氧化硅膜、第一氮氧化硅膜、第二氮氧化硅膜、第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜。如此，通过依次层叠设置的1层氧化硅膜、2层氮氧化硅膜和3层氮化硅膜，可以避开氧化铝钝化，使得PERC电池的钝化效果和抗潜在电势诱导衰减(Potential Induced Degradation，PID)效果较好，而且可以降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 避开 氧化铝 钝化 perc 电池 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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