[发明专利]避开氧化铝钝化的PERC电池和电池钝化层的制作方法

说明书

本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种避开氧化铝钝化的PERC电池和电池钝化层的制作方法。避开氧化铝钝化的PERC电池，包括依次层叠设置的：电池基片、氧化硅膜、第一氮氧化硅膜、第二氮氧化硅膜、第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜。如此，通过依次层叠设置的1层氧化硅膜、2层氮氧化硅膜和3层氮化硅膜，可以避开氧化铝钝化，使得PERC电池的钝化效果和抗潜在电势诱导衰减(Potential Induced Degradation，PID)效果较好，而且可以降低成本。

技术领域

本申请属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种避开氧化铝钝化的PERC电池和电池钝化层的制作方法。

背景技术

相关技术中的钝化发射极背面接触电池(PERC)的背面钝化技术，主要是在P型硅基体上沉积一层AlOx钝化层，然后在AlOx层外沉积若干层SiNx层。AlOx钝化层不仅能够降低电池背面复合，而且能改善长波响应，提高电池效率。

然而，单晶PERC电池钝化的主要辅材是TMA及N₂O，且TMA价格昂贵，难以取代，导致成本较高。而且，现有的AlOx钝化层的钝化技术存在专利壁垒。

基于此，如何实现PERC电池的钝化以降低成本并规避AlOx钝化层，成为了亟待解决的问题。

发明内容

本申请提供一种避开氧化铝钝化的PERC电池和电池钝化层的制作方法，旨在解决如何实现PERC电池的钝化以降低成本并规避AlOx钝化层的问题。

第一方面，本申请提供的避开氧化铝钝化的PERC电池，包括依次层叠设置的：电池基片、氧化硅膜、第一氮氧化硅膜、第二氮氧化硅膜、第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜。

可选地，所述氧化硅膜的厚度范围为5nm-40nm。

可选地，所述氧化硅膜的折射率范围为1.5-1.6。

可选地，所述第一氮氧化硅膜的厚度范围为5nm-40nm，所述第二氮氧化硅膜的厚度范围为10nm-80nm。

可选地，所述第一氮氧化硅膜的折射率范围为1.8-2.0，所述第二氮氧化硅膜的折射率范围为1.7-1.9。

可选地，所述第一氮化硅膜的厚度范围为30nm-70nm，所述第二氮化硅膜的厚度范围为20nm-40nm，所述第三氮化硅膜的厚度范围为10nm-30nm。

可选地，所述第一氮化硅膜的折射率范围为2.2-2.3，所述第二氮化硅膜的折射率范围为2.1-2.2，所述第三氮化硅膜的折射率范围为2.0-2.1。

第二方面，本申请提供的电池钝化层的制作方法，包括：

在待沉积钝化膜的电池基片上沉积氧化硅膜；

在所述氧化硅膜上沉积第一氮氧化硅膜；

在所述第一氮氧化硅膜上沉积第二氮氧化硅膜；

在所述第二氮氧化硅膜上沉积第一氮化硅膜；

在所述第一氮化硅膜上沉积第二氮化硅膜；

在所述第二氮化硅膜上沉积第三氮化硅膜。

可选地，在待沉积钝化膜的电池基片上沉积氧化硅膜，包括：

在镀膜设备中通入SiH₄和N₂O，以形成所述氧化硅膜；

在所述氧化硅膜上沉积第一氮氧化硅膜，包括：

在所述镀膜设备中通入SiH₄、NH₃和N₂O，以形成所述第一氮氧化硅膜；