[发明专利]避开氧化铝钝化的PERC电池和电池钝化层的制作方法

权利要求书

1.一种电池钝化层的制作方法，其特征在于，包括：

在镀膜设备中通入SiH₄和N₂O，以在待沉积钝化膜的电池基片上沉积氧化硅膜；具体地，按照SiH₄和N₂O的比例为1：(11-15)通入SiH₄和N₂O，并打开射频电源，以形成1层所述氧化硅膜；其中，SiH₄气体流量的范围为1400sccm-1500sccm，N₂O气体流量的范围为11slm-15slm，镀膜时间的范围为108s-400s；

在所述镀膜设备中通入SiH₄、NH₃和N₂O，以在所述氧化硅膜上沉积第一氮氧化硅膜；具体地，按照SiH₄、NH₃和N₂O的比例为1：(4-6)：(5-7)通入SiH₄、NH₃和N₂O，并打开射频电源，以形成所述第一氮氧化硅膜；其中，SiH₄气体流量的范围为502sccm-2000sccm，NH₃气体流量的范围为2.1slm-4.5slm，N₂O气体流量的范围为3slm-4.5slm，镀膜时间的范围为20s-95s；

在所述镀膜设备中通入SiH₄和NH₃，以在所述第一氮氧化硅膜上沉积第二氮氧化硅膜；具体地，按照SiH₄、NH₃和N₂O的比例为1：(4-6)：(5-7)通入SiH₄、NH₃和N₂O，并打开射频电源，以形成所述第二氮氧化硅膜；其中，SiH₄气体流量的范围为502sccm-2000sccm，NH₃气体流量的范围为3.1slm-4.7slm，N₂O气体流量的范围为5.3slm-8slm，镀膜时间的范围为136s-400s；

在所述镀膜设备中通入SiH₄和NH₃，以在所述第二氮氧化硅膜上沉积第一氮化硅膜；具体地，按照SiH₄和NH₃的比例为1：(3-8)通入SiH₄和NH₃，并打开射频电源，以形成所述第一氮化硅膜；其中，SiH₄气体流量的范围为820sccm-2000sccm，NH₃气体流量的范围为3.1slm-8slm，镀膜时间的范围为347s-400s；

在所述镀膜设备中通入SiH₄和NH₃，以在所述第一氮化硅膜上沉积第二氮化硅膜；具体地，按照SiH₄和NH₃的比例为1：(4-7)通入SiH₄和NH₃，并打开射频电源，以形成所述第二氮化硅膜；其中，SiH₄气体流量的范围为820sccm-2000sccm，NH₃气体流量的范围为5.2slm-9slm，镀膜时间的范围为112s-287s；

在所述镀膜设备中通入SiH₄和NH₃，以在所述第二氮化硅膜上沉积第三氮化硅膜；具体地，按照SiH₄和NH₃的比例为1：(9-10)通入SiH₄和NH₃，并打开射频电源，以形成所述第三氮化硅膜；其中，SiH₄气体流量的范围为820sccm-2000sccm，NH₃气体流量的范围为5slm-10slm，镀膜时间的范围为50s-200s；

其中，所述第一氮氧化硅膜的厚度范围为10nm-20nm，所述第二氮氧化硅膜的厚度范围为20nm-80nm；所述第一氮氧化硅膜的折射率范围为1.8-2.0，所述第二氮氧化硅膜的折射率范围为1.7-1.9；所述第一氮化硅膜的厚度范围为40nm-70nm，所述第二氮化硅膜的厚度范围为20nm-40nm，所述第三氮化硅膜的厚度范围为10nm-30nm；所述第一氮化硅膜的折射率范围为2.2-2.3，所述第二氮化硅膜的折射率范围为2.1-2.2，所述第三氮化硅膜的折射率范围为2.0-2.1。

2.一种避开氧化铝钝化的PERC电池，其特征在于，包括电池基片和设置在电池基片的钝化层，所述钝化层采用权利要求1所述的方法制作得到。