[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110750624.5 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113471149B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 孔忠;洪海涵 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭凤杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。其中，半导体结构的制备方法，包括：提供基底；在基底内形成多个间隔排布的接触孔；在接触孔内形成接触材料层；在接触材料层和基底上形成位线材料层；去除部分位线材料层和部分接触材料层，以形成位线结构,位线结构包括剩余的位线材料层构成的位线层以及剩余的接触材料层构成的接触层，接触层位于接触孔内，位线层跨越接触孔以及接触孔外的基底。本发明可以有效降低位线结构的高度，从而有效防止位线结构在之后的制成过程中倾斜或倒塌。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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